不能发生攀移运动的位错是（ ）。
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位错的攀移
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问：螺位错可以攀移。（）
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位错运动方向处处垂直于位错线，在运动中是可变的，晶体做相对滑动的方向（）
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金属材料的塑性变形是通过位错运动来实现的。（）
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位错攀移
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fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错，该新反应得到的位错（ ）运动。
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晶界是位错运动的障碍，阻碍位错运动，具有强化作用，细化晶粒可以提高强度。
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fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错，该新反应得到的位错（ ）运动。
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fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生反应形成的新的位错柏氏矢量为（ ）。
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由位错滑移的派－纳力公式可以知道（ ），位错容易运动。
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6、刃型位错攀移后会发生哪些变化？
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4、位错运动是依靠整个原子面上的所有原子一起断键、移动、再成键来实现的。
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能进展攀移的位错必然是()。
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5、5. 螺位错沿垂直滑移面的方向进行的运动称攀移。
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5. 螺位错沿垂直滑移面的方向进行的运动称攀移。
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2、2. 晶体中的位错在应力作用下可产生运动，位错的运动方式有（）。
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7、沉淀强化的作用机理是位错不断绕过第二相粒子，在粒子周围形成一个位错塞积群，阻碍后续位错靠近；另一方面相邻粒子间距随着位错环的塞积而减小，增大了位错运动的阻力，进一步使金属得到强化。
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10、单选题 形变后的材料在低温回复阶段其内部组织发生显著变化的是（）。 A:点缺陷浓度明显下降; B:形成亚晶界; C:位错重新运动和分布； D.晶粒形状从变形纤维组织转变为等轴状晶粒
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金属塑性变形的实质是晶体内部通过位错在切应力作用下的不断运动实现（)的结果。
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162、位错交割产生的位错线拐弯必然对位错的后续运动产生影响
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位错运动时，易产生增殖;运动时易于发生相互交割，形成割阶，引起位错缠结，因此造成位错运动的障碍。（)
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119、只有刃位错才能攀移
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3、位错的攀移和交滑移有什么不同？位错交截中在什么情况下产生阻碍性割阶？
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15、溶质原子主要影响刃位错的运动，对螺位错影响不大
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