N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电， 而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。此题为判断题(对，错)。

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• N型半导体多数载流子是（）

  A . 空穴 B . 质子 C . 电子 D . 中子

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• N型杂质半导体中，多数载流子是（）

  A . 正离子 B . 负离子 C . 空穴 D . 自由电子

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• 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。

  A . A．自由电子，空穴；扩散，飘移 B . B．空穴，自由电子；漂移，扩散 C . C．空穴，自由电子；扩散，漂移 D . D．自由电子，空穴；漂移，扩散 E . E．自由电子，空穴；扩散，扩散

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• N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

  A . 正确 B . 错误

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• N型半导体多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 当二极管加正向电压时，二极管将有很大的正向电流流过，这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动产生的。

  A . 正确 B . 错误

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• N型半导体的多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。

  A . 正确 B . 错误

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• 在非线性元件的伏安特性研究中，N型半导体和P型半导体中，多数载流子分别是（）

  A . 电子、空穴 B . 空穴、电子 C . 电子、电子 D . 空穴、空穴

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• N型半导体中的多数载流子是（）。

  A . A．自由电子 B . B．空穴 C . C．束缚电子 D . D．晶格上的离子

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• 在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。

  A . A．空穴／自由电子 B . B．自由电子／空穴 C . C．空穴／共价键电子 D . D．负离子／正离子

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• N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。

  A . 正确 B . 错误

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• N型半导体中，多数载流子是（），P型半导体中，多数载流子是（）。

  A . 正离子 B . 自由电子 C . 空穴 D . 负离子 E . 质子 F . 中子

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• 在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。（）

  A . 正确 B . 错误

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• N型半导体中的多数载流子是电子，因此，N型半导体带负电。

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• P型半导体材料中 P型半导体材料中多数载流子是（ ），N型半导体材料中多数载流子是（ ）。多数载流子是（ ），N型半导体材料中多数载流子是（ ）。

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• 3、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。

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• 因为N型半导体的多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。

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• 在N型半导体中，（）是多数载流子。【323110206__

  A．空穴 B．硅 C．电子 D．锗

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• 对半导体而言,其正确的说法是（).（1)P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电.（2)y型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带负电.（3)P型半导体和N型半导体本身都不带电.

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• 在N 型半导体中 是多数载流子， 是少数载流子。

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• N型半导体中多数载流子是（）。（晶体管）

  A．正离子 B．负离子 C．自由电子 D．空穴

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• N型半导体的多数载流子是自由电子，因此N型半导体带负电。（)

  N型半导体的多数载流子是自由电子，因此N型半导体带负电。()

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• 2、N型半导体中，多数载流子为

  A．空穴 B．电子 C．正电荷 D．负电荷

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• 7、在N型半导体中参与导电的多数载流子是自由电子。

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