发生抑制性突触后电位时突触后膜对哪种离子的通透性升高( )
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兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了——的通透性()。
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IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加()
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突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位()。
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由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括()
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神经递质与突触后膜受体结合后,使后膜对Na+的通透性提高,将引起后膜的电位变化是()
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47.IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的
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抑制性突触后电位的产生,是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高?
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【单选题】兴奋性突触后电位是突触后膜对什么离子的通透性增加而引起的()
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