在足够能量的光照条件,晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下,N区的()向P区运动.。
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目前实行大规模产业化的晶体硅光伏电池包括()。
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常规晶体硅电池转换效率平均每年提升()。
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晶体硅太阳电池的厚度一般为()μm左右。
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以晶体硅材料为基础秤的太阳能电池包括()。
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标准晶体硅太阳电池组件玻璃采用()玻璃(),厚度(),透光率达()以上。钢化玻璃抗冲击性能实验中,按照国标检测,用()g钢球,从高度()处自由落下,冲击玻璃板的中心点附近,玻璃不破裂,保证玻璃的抗冲击性,提高产品在恶劣环境中的安全系数。
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在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的空穴向P区运动,P区的()向N区运动。
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目前实行大规模产业化的晶体硅光伏电池包括单晶硅光伏电池、()。
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晶体硅太阳电池表面梳状电极一般选用()做为材料,背电极的材料一般为镍锡合金,但在丝网印刷工艺中,背电极一般采用银铝合金混合粉末为电极材料,以增强焊接性并形成背电极的欧姆接触。
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()是阳性树种,它们在生长时要求较强的光照,光的补偿点高。约在全部太阳全部光照强度的3%-5%时达到光补偿点。通常不能在林下及弱光的条件正常生长。
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金太阳和太阳能光电建筑应用示范项目中,晶体硅须按照()标准要求,通过国家批准认证机构的认证。
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国内首创采用非晶硅薄膜、晶体硅混合的光伏电池方阵应用在以下哪个项目:()
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目前,国产晶体硅的电池的效率在()左右,国外同类产品在()左右。
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面积为10cm2的硅太阳能电池在100mw/cm2光照下,开路电压为600mV,短路电流为400mA,填充因子为0.8,则此硅太阳能电池的最大光电转换效率为()
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目前,国产晶体硅的电池的效率在()%左右,国外同类产品在12-14%左右
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在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下P区的()向N区运动。
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多晶体硅电池组件的主要电气性能(铭牌内容)有哪些?请一一说明
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华尔夫(M.Wolf)经过详细讨论得到硅太阳能天池在AM0光谱条件下为()
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目前实行大规模产业化的晶体硅光伏电池包括()、()。
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