功率MOSFET是一种（）器件，具有驱动功率小，工作速度快，无二次击穿和安全区宽等特点。

相似题目

• 晶闸管（可控硅）是一种大功率的（）器件。

  A . A、绝缘体 B . B、半导体 C . C、全导体 D . D、以上全非

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• 晶闸管是一种大功率的可控半导体器件，普通型晶闸管具有反向阻断特性，故又称为逆阻型晶闸管。

  A . 正确 B . 错误

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• 功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。

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• 晶闸管是晶体闸流管的简称，它是一种功率器件，只要给它以极小的控制触发电流，它就像闸门打开一样，让大电流通过。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 下列属于电流驱动型功率半导体器件的是（）。

  A . GTO B . GTR C . 功率MOSFET D . IGBT

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• 功率MOSFET对驱动电路的要求是（）。

  A . 驱动信号的前后沿陡峭 B . 驱动信号的电压应高于开启电压 C . 信号电压应低于栅源击穿电压 D . 截止时应加小于栅源击穿电压的电压

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• 目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及两者混合管和（）等等。

  A . A、晶闸管 B . B、可控硅 C . C、功率集成器件 D . D、晶体管

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• 晶闸管（可控硅）是一种新型大功率半导体器件它主要用于（）。

  A . A、开关 B . B、整流 C . C、逆变、变频 D . D、调压、调速

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• 双向晶闸管是一种具有自关断能力的闸流特性功率半导体器件。

  A . 正确 B . 错误

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• 功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，功率增益高，是一种（）控制器件。

  A . A、电压 B . B、电流 C . C、功率

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• IGBT功率器件同时具有（）和较低的饱和压降，从而能够很自然地跨入高电压大电流的工作领域。

  A . 较高的输入阻抗 B . 较低的输入阻抗 C . 较高的工作频率 D . 较低的工作频率

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• 静止无功补偿器（SVC）是一种动态无功功率补偿装置。它的特点是调节速度高、运行维护工作量小、可靠性高。

  A . 正确 B . 错误

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• 下列器件中，（）集MOSFET和功率晶体管的优点于一身。

  A . 晶闸管 B . GTO C . 1GBT D . IPM

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• 气动式主机遥控系统的主要特点包括（）。 ①便于掌握管理 ②驱动功率小 ③驱动功率大 ④结构简单 ⑤传送距离远 ⑥工作可靠

  A . ②④⑤⑥ B . ①③④⑤ C . ①③④⑥ D . ①②④⑤

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• 晶闸管是一种大功率的（）器件。

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• 功率半导体器件按照驱动信号类型可分类为（）。

  A . 不可控器件 B . 电流驱动型 C . 电压驱动型 D . 半控型器件

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• 功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，功率增益高，是一种（）电压控制器件。

  A . A、电压 B . B、电流 C . C、功率

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• 晶闸管是一种可以控制的大功率硅整流器件，它是由（）个PN结级成。

  A . 3 B . 1 C . 2 D . 4

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• 固态继电器（简称SSR）是一种由固态半导体器件组成的新型无触点的电子开关器件。它的输入端仅要求（）的控制电流，驱动功率小，能用TTL、（）等集成电路直接驱动。

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• 功率MOSFET可多个管子并联工作，具有（）能力。

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• 目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。

  A . 正确 B . 错误

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• 绝缘栅双极晶体管（IGBT）开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗低，为电压驱动，驱动功率大（）

  A．正确 B．错误 C．0 D．0

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• 场效应晶体管是一种重要的开关器件，在数字电路中，常用（_ _ _)MOSFET

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• 晶闸管（可控硅)是一种新型大功率半导体器件它主要用于（)。P37

  A．开关 B．整流 C．逆变、变频 D．调压、调速

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