NAND表示（）。

相似题目

• 原油泵的型号是250YSII--150×2C?型号中250表示（）Y表示（）150表示（）2表示（）C表示（）

  查看最佳答案

• NAND型闪存的基本存储单元是（）。

  A . MB B . Page C . Bit D . Byte

  查看最佳答案

• LOS表示（），LOF表示（），RLP表示（），RAL表示（）。

  A . 本地E1链路告警，远端E1链路告警，帧失步，远端环回及误码仪测试指示灯 B . 本地E1链路告警，远端环回及误码仪测试指示灯，帧失步，远端E1链路告警 C . 本地E1链路告警，帧失步，远端E1链路告警，远端环回及误码仪测试指示灯 D . 本地E1链路告警，帧失步，远端环回及误码仪测试指示灯，远端E1链路告警

  查看最佳答案

• 导线型号中的“L”表示铝，“T”表示（），“G”表示钢，“Y”表示硬，“R”表示软。

  查看最佳答案

• 无效车票代码：21表示（）；25表示（）；32表示（）；34表示（）。

  查看最佳答案

• 捻向，控制方向用两个字母（）表示，“Z”表示（），“S”表示（），“ZZ”或“SS”表示（），“ZS”或“SZ”表示（）。

  查看最佳答案

• 服装制图中通常用B表示（），BP表示（），H表示（），BL表示（），N表示（），W表示（），EL表示（），A²H表示（）。

  查看最佳答案

• 以P表示年均降水，Rs表示地表径流，Rg表示河川基流，R表示河川径流，E表示总蒸散发，Es表示地表蒸散发，Ug表示地下潜流，Eg表示潜水蒸发，下列各式中，（）是错误的。

  A . R=R +R B . E=E +E C . P=R +R +E +E +U D . P=R+E

  查看最佳答案

• 型号SGW—40T中，S表示（），G表示（），W表示（），40表示（），T表示（）。

  查看最佳答案

• A NAND gate has an output that is opposite the output of an AND gate

  查看最佳答案

• 尺寸标注中的符号：R表示 ，φ表示 ，表示 ，t表示 ，C表示 ，EQS表示 ，∠表示 。/js/editor20150812/themes/default/images/spacer.gif

  查看最佳答案

• 写出图中各个序号表示的火花塞结构的名称：1表示（ ）、2表示（ ）、3表示（ ）、4表示（ ）、5表示（ ）、6表示（ ）、7表示（ ）、8表示（ ）、c63a660e7a772e36feccb6a8401e52d2.png

  查看最佳答案

• 代号为Tr14×3LH-7e的螺纹，14表示 ，3表示 ，LH表示 ，7e表示 ，Tr表示 。

  查看最佳答案

• The dual symbol for a NAND gate is negative -AND symbol

  查看最佳答案

• 服装制图中通常用B表示（），BP表示（），H表示（），BL表示（），N表示（），W表示（），EL表示（），A²H表示（）

  查看最佳答案

• 2002年，Lexar公司控告东芝盗用了它的NAND闪存专利技术。2005年5月，加利福尼亚的一位法官对东芝及其美国子公司Toshiba America Elec-tronics Components作出裁决，判其向Lexar公司支付4.65亿美元的侵犯专利罚金。东芝对该判决提出上诉。上述两公司解决争端的方式是( )。

  A．协商 B．调解 C．诉讼 D．仲裁

  查看最佳答案

• 符号Q表示（）；F表示（）；Q表示（）；S表示（）；N表示（）。

  查看最佳答案

• 服装制图中通常用B表示（)，BP表示（)，H表示（)，BL表示（)，N表示（)，W表示（)，EL表示（)，AH表示（)。

  查看最佳答案

• ● 对于下图所示的 Students和 SC 关系，属性 Sno 表示学号，Sname 表示姓名，Sex表示性别，SD表示专业，Age 表示年龄，Cno 表示课程号，Grade 表示成绩。

  <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/uploadfile/2418001-2421000/37513cf816e5c046ce692b328cb854a0.gif' /> a. 当用户查询“选了课程 2 的学生数”时，其结果应为 （59） ；当 Students 和 SC关系进行自然连接时，其结果集的属性列数应为 （60） 。 （59）A. 3 B. 4 C. 6 D. 7 （60）A. 6 B. 7 C. 8 D. 9 b. 查询“至少选修了两门课程的每个学生的平均成绩”的 SQL 语句如下： SELECT Sno， （61） FROM SC GROUP BY Sno （62） ＞1； （61） A. Grade B. SUM（Grade）/ 7 C. AVG（Grade） D. SUM（Grade）/ COUNT（Cno） （62） A. WHERE COUNT（Sno） B. WHERE COUNT（DISTINCT（Sno） ） C. HAVING COUNT（Sno） D. HAVING COUNT（DISTINCT（Sno） ）

  查看最佳答案

• 蒸汽系统和冷凝液系统管道代号：MS表示()，MSS表示()，LS表示()，LLS表示()，MC表示()，LC表示()。

  查看最佳答案

• 设备代号：A表示()，D表示()，E表示()，P表示()，T表示()，R表示()。

  查看最佳答案

• ES3000 V5 使用的 NAND FLASH 介质类型是（）

  A．2D/3D MLC B．3D 32L TLC C．3D 96L TLC D．3D 64L TLC

  查看最佳答案

• 有块ARM核心板的主要参数如下： Samsung S3C6410处理器，ARM1176JZF-S内核，主频533MHz/667MHz； • 128M字节Mobile DDR内存； • 1G字节NAND Flash（MLC）； • 12MHz、48MHz、27MHz、32.768KHz时钟源；• 该核心板的内存是_____；

  A．静态RAM B．动态RAM C．128M D．1G

  查看最佳答案

• Y180L£­8£­4其中Y表示（)，180表示（)，L表示（)，8表示（)，4表示（)。

  查看最佳答案