位错线只能终止在晶体表面或界面上，而不能中止于晶体内部。
相似题目
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液体总是力图形成球形表面来降低系统的表面能，而晶体由于质点不能自由流动，只能借助于离子极化、变形、重排并引起（）来降低表面能。
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对于金属晶体来说，增加位错密度或降低位错密度都能增加金属的强度。
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晶体中的位错线有几种类型？各有什么特点？
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位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。（）
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利用（）观察位错有一定的局限性，它只能观察在表面露头的位错，而在晶体内部的位错则无法显示。
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线缺陷是指发生在晶体内多个方向上的非周期性排列。
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位错运动方向处处垂直于位错线，在运动中是可变的，晶体做相对滑动的方向（）
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石英晶体沿机械轴受到正应力时，则会在垂直于（）的表面上产生电荷量。
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果晶体振荡式微量水分析仪分析的对象是惰性气体，则只能将（）镀在石英片表面上作为电极。
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fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（ ）。
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fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错，该新反应得到的位错（ ）运动。
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fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（ ）。
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fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错，该新反应得到的位错（ ）运动。
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fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[11-2],柏氏矢量b=a[-110]/2；此位错可以分解为a[-12-1]/6+a[-211]/6。
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fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生反应形成的新的位错柏氏矢量为（ ）。
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表面原子排列情况与晶内原子不同，在垂直于晶体表面方向上有原子间距的变化，而在平行于晶体表面的方向上原子间距不变。
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交滑移只能产生于螺型位错中,对于刃型位错,由于只能在由位错线和伯氏矢量决定的平面上滑移,因此不能产生交滑移
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*下列关于分子晶体的叙述中正确的是 。 (A) 分子晶体中存在分子间力 (B) 分子晶体晶格结点上排列的分子只能是非极性分子 (C) 分子晶体中分子间力作用较弱，本质上属于电性作用力，因此不能溶解于水 (D) 分子晶体的水溶液不导电
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刃型位错是晶体内滑移面上已滑移区与未滑移区的交界线。
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2. 晶体中形成螺位错后，原来与位错线垂直的晶面，变为以位错线为中心轴的螺旋面。
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刃型位错的位错线与晶体的滑移方向垂直。（)
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5、波片是从单轴晶体上切割下来的平行平面板，其表面与光轴平行，根据晶体的双折射现象，若光线垂直光轴入射，在晶体内o光和e光的折射率将不相等，因此，通过控制晶片的厚度就可以使得o光和e光在出射界面射出时产生一个相位差，如果这个相位延迟是1/4个波长，我们称其为1/4波片，如果是1/2个波长，则称其为1/2波片。根据波片的工作原理和光学特征，椭圆偏振光经过1/4波片后会变成（）。
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2、2. 晶体中的位错在应力作用下可产生运动，位错的运动方式有（）。
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当晶体中位错密度很低时，接近于理想状态，晶体强度很高;相反在晶体中位错密度很高时，其强度也很高。（)