如R[2]=5,执行RO[5]=R[2]后,RO[5]值为5()
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浇口套的圆弧半径R,与喷嘴吻合处的圆弧半径RO的关系为()。
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如31题图所示,已知主动轮1转速为1474r/min,各齿轮齿数分别是Z1=20,Z2=31,Z3=23,Z4=39,Z5=20,Z6=51,求齿轮6的转速及旋向。解:i1~6==≈6.7n6===220r/min1~2、3~4为外啮合齿轮,经两级传动后1与4转向相同,5~6为内啮合齿轮,转向相同,所以1与6同向转动。
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写出执行以下计算的指令序列,其中X、Y、Z、R、W均为存放16位带符号数单元的地址。Z←((W-X)/5*Y)*2。
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已知图示电路中E=100V,R 1 =15Ω,R 2 =R 5 =5Ω,R 3 =20Ω,R 4 =2Ω,求U ab 及U bc 。 https://assets.asklib.com/images/image2/2018071818002855014.jpg
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在M+RO2===2N的反应中,RO2为氧化物,相对分子质量是44。已知1.2gM完全反应生成5.6gN。下列有关说法中Z正确的是()
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5 、已知下图中 R 1 =1 Ω, R 2 =4 Ω, R 3 =2 Ω, R 4 =3 Ω, R 5 =6 Ω, 等效电阻 Rab= Ω。http://p.ananas.chaoxing.com/star3/origin/243526239ee32b3d44f6d94489ddcb41.JPG
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设A={1,2,3}, B={4,5}, R={(1,4),(2,5),(3,4)},S={(1,4),(2,4),(3,4)},则~R =______。
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设A是3×3矩阵,且r(A)=2,又B=( 1 0 2,0 3 0,4 0 5)则 r(BTAB)=
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设A={1,2,3}, B={4,5}, R={(1,4),(2,5),(3,4)},S={(1,4),(2,4),(3,4)},则R∪S=______。
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设R={(1,2),(3,4),(2,3)}, S={(4,2),(2,5),(3,1)}, 则R°S=______。
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电路如习题4-5图所示,其中R=2Ω,L=1H,C=0.01F,uC=0,若电路的输入电流为 (1); (2)i=e-tA。 试求这两种情况
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在图1.02中,电阻R为()。(1)0Ω(2)5Ω(3)-5Ω
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设A={1,2,3,4,5,6},B={1,2,3},A到B的关系R={<a=b<sup>2</sup>>},则Dom(R)和an(R)分别为().
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(1)设R为实数集,X={x|x∈R且-3≤x<0},Y={x|x∈R且-1≤x<5},W={x|x∈R且x<1},求(X∩Y)-W。(2)设X={1,2,3},Y={2,3,4,5},W={2,3},求(X∪Y)⊕W。
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Vmax≤120km/h正线及到发线,道岔轨距经常保养管理值()mm。A.+5、-2B.+3、-2C.R=+5、-3D.R=+4、-2
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A={1,2,3,4,5,6},定义A 上的二元关系R<sub>1</sub>={(1,1),(2,2),(3,3),(4,4),(5,5),(6,6)}{(1,4),(2
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电路如题图5-8所示,已知R<sub>1</sub>=10Ω,C=10³μF,R<sub>2</sub>=0.5Ω,ω=1000rad/s,求当电流有效值I最大时,
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设数据的逻辑结构如下: B2=(D,R) D={1,2,3,4,5,6} R={r} r={<1,2>,<2,4>,<1,3>,<3,4>,<3,5> ,<3,6>,<5,6>},该逻辑结构为 结构。
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熔块组成中R₂O与RO的摩尔数比应小于()。
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1)一颗玉的原价是¥120000,小红卖给小兰赚了r%的利息,一年之后,小兰卖玉给小红赚了r%,小红亏了¥28800,求r 2)r 是x^2-3x-5 的根,求r^5-3r^4-5r^3+2r^2-6r 的值
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10、以下程序的执行结果是()。 int fun(int b[],int n) { int i,r=1; for(i=0;i<n;i++) r=r*b[i]; return r; } void main() { int x,a[]={1,2,3,4,5,6,7,8}; x=fun(a,3); cout<<x<<endl; }
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求题2.25图所示电路中A、B端口的等效电阻。已知R<sub>1</sub>=2Ω;R<sub>2</sub>=12Ω,R<sub>3</sub>=5Ω,R<sub>4</sub>=8Ω,R<sub>5⌘
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设A={1,2,3,4,5}.A上的划分r={{1,2},{3,4},{5}},给出由π所诱导出的A上的等价关系R的集合表达式.
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实验报告总体格式参照浙江大学实验报告要求。 具体要求如下。 《晶体管共射放大电路 设计、安装与调试实验报告》应包含: 1、设计部分: (1)每个电阻值的具体确定过程、及取定的标称值。 (2)设计完成后的验算。分析计算以下值,判断晶体管是否在放大区、及参数指标是否满足设计要求:IC 、VCE 、AV 、Ri 、Ro。 2、仿真部分:仿真以下参数,要附截图:IC 、VCE 、AV 、Ri 、Ro、fL 、fH。 3、测试部分:测试步骤、原始数据记录,及IC 、VCE 、AV 、Ri 、Ro、fL 、fH 结果。 4、对设计、仿真、测试得到的IC 、VCE 、AV 、Ri 、Ro、fL 、fH 结果进行分析比较并给出结论。 5、总结与体会
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