4、在N 型半导体中 是多数载流子， 是少数载流子。

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• N型半导体多数载流子是（）

  A . 空穴 B . 质子 C . 电子 D . 中子

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• N型杂质半导体中，多数载流子是（）

  A . 正离子 B . 负离子 C . 空穴 D . 自由电子

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• 在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

  A . 正确 B . 错误

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• 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。

  A . A．自由电子，空穴；扩散，飘移 B . B．空穴，自由电子；漂移，扩散 C . C．空穴，自由电子；扩散，漂移 D . D．自由电子，空穴；漂移，扩散 E . E．自由电子，空穴；扩散，扩散

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• N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

  A . 正确 B . 错误

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• N型半导体多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。（）

  A . 正确 B . 错误

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• P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

  A . 正确 B . 错误

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• N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。

  A . A、W型半导体 B . B、U型半导体 C . C、P型半导体 D . D、N型半导体

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• 在非线性元件的伏安特性研究中，N型半导体和P型半导体中，多数载流子分别是（）

  A . 电子、空穴 B . 空穴、电子 C . 电子、电子 D . 空穴、空穴

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• N型半导体中的多数载流子是（）。

  A . A．自由电子 B . B．空穴 C . C．束缚电子 D . D．晶格上的离子

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• 在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。

  A . A．空穴／自由电子 B . B．自由电子／空穴 C . C．空穴／共价键电子 D . D．负离子／正离子

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• N型半导体中，多数载流子是（），P型半导体中，多数载流子是（）。

  A . 正离子 B . 自由电子 C . 空穴 D . 负离子 E . 质子 F . 中子

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• 在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。（）

  A . 正确 B . 错误

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• N型半导体中的多数载流子是电子，因此，N型半导体带负电。

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• P型半导体材料中 P型半导体材料中多数载流子是（ ），N型半导体材料中多数载流子是（ ）。多数载流子是（ ），N型半导体材料中多数载流子是（ ）。

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• 在本征半导体中掺微量的三价元素，就称为P型半导体，其多数载流子是空穴，少数载流子是（________），它主要依靠多数载流子导电。

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• P型半导体是在本征半导体中掺入 价元素，其多数载流子是 ，少数载流子是 。

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• P型半导体中的多数载流子是______；少数载流子是______。

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• 在N型半导体中，（）是多数载流子。【323110206__

  A．空穴 B．硅 C．电子 D．锗

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• 在N 型半导体中 是多数载流子， 是少数载流子。

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• N型半导体中多数载流子是（）。（晶体管）

  A．正离子 B．负离子 C．自由电子 D．空穴

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• 20、P型半导体中空穴为少数载流子，自由电子为多数载流子。

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• 7、在N型半导体中参与导电的多数载流子是自由电子。

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• 6、在P型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。

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