N型半导体的费米能级在本征费米能之上。
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说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。
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什么是金属晶体的费米（Fermi）能级？
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半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级
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若n型硅中掺入受主杂质，费米能级升高还是降低？若温度升高当本征激发起作用时，费米能级在什么位置，为什么？
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在半导体计算中，经常应用这个条件把电子从费米能级统计过渡到玻耳兹曼统计，试说明这种过渡的物理意义。
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对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。
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在本征硅（或锗）中掺入微量的（）价元素，便可形成N型半导体。
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一般情况下，P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。
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表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；
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当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
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N型半导体是指在本征半导体中加入微量五价元素所形成的半导体，那么，P型半导体是指在本征半导体中加入微量（）价元素所形成的半导体。
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N型半导体的费米能级处于禁带（）。
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费米能级Ef的意义是电子占据率为（）时所对应的能级。
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费米能级离导带底越近，该半导体的电子浓度越高。
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12、半导体的掺杂浓度越高，其费米能级的位置也越高
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费米－狄拉克分布函数预测：远远低于费米能级的位置其电子占据的几率趋向于（)。
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在本征半导体中加入（)元素可形成N型半导体。A.五价B.四价C.三价
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以下关于“费米能级的变化”说法正确的是：()。
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一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
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费米-狄拉克分布函数预测：远远低于费米能级的位置其电子占据的几率趋向于（）
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4、对于本征费米能级位置的描述，错误的是 。
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在本征半导体中加入（)元素可形成N 型半导体。
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19、本征激发占主导地位时，非简并半导体的费米能级趋于禁带的中线位置。
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9、肖特基结的势垒高度与金属和半导体费米能级的相对位置有关。
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