晶体管fβ参数的定义为（）。
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差分放大电路如图11-20所示，若晶体管VT1、VT2的参数对称，β均为50，rbe均为2．6kΩ。则差模电压放大倍数Aud约为（）。https://assets.asklib.com/psource/2015110114283686638.jpg
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有一负反馈放大电路，A=1000，F=0.009，如果由于晶体管参数和环境温度变化的影响，而使其放大倍数减小了20％，试求变化后的Af值（）。
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已定义好有参函数f（m），其中形参m是整形量。下面调用该函数，传递参数为5，将返回的函数值赋给变量t。以下正确的是（）。
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固定偏置放大电路中，晶体管的β=50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC将（）。
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有一负反馈放大电路，A=1000，F=0.009，如果由于晶体管参数和环境温度变化的影响，而使其放大倍数减小了20％，则变化后的AF值为（）。
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在如图所示电路中，晶体管工作于放大区，设各电路元件参数已知，若晶体管的电流放大倍数为β，则该电路的电压放大倍数和输出电阻分别为（）。https://assets.asklib.com/psource/2015110110302722226.jpg
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穿透电流Iceo是晶体二极管的主要参数之一，其定义为：基极短路时，集电极和发射极之间的反向电流。
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晶体管中的“β”参数是（）。
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晶体管共发射极的截止频率fβ的定义是（）
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一个放大器的上限频率fH=5MHz，选用fβ=5MHz的晶体管能否满足要求？解释原因。
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晶体管作放大时，其β值与工作频率ƒ的关系为（）
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晶体管作放大时，其β值与工作电流IC的关系为（）
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若已定义实参数组 int a[3][4]={2,4,6,8,10}; ，则在被调用函数 f 的下述定义中， 对形参数组 b 定义正确的选项是 ________ 。
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若已定义实参数组：int a[3][4] = {2, 4, 6, 8, 10};则在被调用函数f的下述定义中，对形参数组b定义正确的选项是_____。
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求图2．4．17所示单端输出差动放大器电路的差模输入电阻Rid共模输入电阻Ric差模电压增益Avd1、共模抑制比CMRR(s)和输出信号电压vo的值。已知晶体管的β=100，rπ=1．2kΩ，vi1=10mV，vi2=25mV，其他参数已标在图中。
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求题图7-3所示电路中晶体管的β值。晶体管的结电压为0.7V。
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晶体管作放大时，其β值与工作电流I<sub>C</sub>的关系为（）
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（1）若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示，请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE＝5×10（^18)/CM（^3)，基区掺杂浓度NB＝1×10（^16)/CM（^3) 发射区宽度XE＝0.20μm， 基区宽度XB＝0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM（^2)/S，基区少子扩散系数DB=25CM（^2)/S 发射区少子寿命τE0＝1×10（^-7)/S， 基区少子寿命τB0＝5×10（^-7)/S （2）实际生产中，工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管，如果不考虑其他参数的分散性，只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间，请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
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在如图所示电路中，晶体管工作于放大区，设各电路元件参数已知，若晶体管的电流放大倍数为β，则该电路的电压放大倍数和输出电阻分别为（）。
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计算如图1．5．4所示电路的静态工作点ICQ、VCEO的值，并计算工作点上微变等效电路参数rπ、rce和gm值。已知晶体管为硅管，β=60，厄尔利电压为一100V。
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半导体三极管主要参数有一只晶体管，其α值为0.98，当发射极电流为2mA时，该管的β值是（）
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1、高频下的电流增益|βω|与频率f的乘积，是一个与频率无关而完全取决于晶体管本身的常数。
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晶体管的参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β、的变化情况分别为（）
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图P3.6所示电路参数理想对称,晶体管的β均为100,r<sub>bb</sub>=100Q,U<sub>BRQ</sub>≈0.7V.试求R<sub>w</sub>的滑动端在中点时T<sub>1</sub>管和T<sub>2</sub>管的发射极静态电流I<sub>EQ</sub>以及动态参数A<sub>d</sub>和R<sub>t</sub>.
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