整流柜可控硅的数量为（）只。

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• 三相桥式可控整流电路中，每只晶闸管承受度最高正反向电压值为变压器二次相电压的最大值。

  A . 正确 B . 错误

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• 在三相半波可控整流电路中，每只晶闸管的最大导通角为（）。

  A . A、30° B . B、60° C . C、90° D . D、120°

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• 带平衡电抗器三相双反星形可控整流电路中，每只晶闸管中流过的平均电流是负载电流的1／3。

  A . 正确 B . 错误

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• 三相半波可控整流电路由（）只晶闸管组成。

  A . A.3 B . B.5 C . C.4 D . D.2

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• 单相全波可控整流电路一共有（）只晶闸管。

  A . 1 B . 2 C . 3 D . 4

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• 用1只晶闸管作开关管的单相可控桥式整流电路中采用了（）。

  A . 3只二极管和1只晶闸管 B . 4只二极管和1只晶闸管 C . 2只二极管、1只稳压管和1只晶闸管 D . 6只二极管和1只晶闸管

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• 三相半波可控整流电路带电阻负载时，每只晶闸管的最大导通角为（），其触发延迟角α的移相范围是（）

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• 三相半波可控整流电路中的每只晶闸管与对应的变压器二次绕组（）。

  A . A.绝缘 B . B.混联 C . C.并联 D . D.串联

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• 采用一只晶闸管的桥式可控整流电路，在选用晶闸管反向耐压数值时，（）。

  A . A、不考虑反向耐压值 B . B、按照反向额定电压的2U2考虑 C . C、按照反向额定电压的2U2考虑 D . D、按照反向额定电压的22U2考虑

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• 单相半波可控整流电路中，可控硅所承受的最大反向电压为（）倍整流变压器副边电压。

  A . ['A、1B . B、https://assets.asklib.com/psource/2016071515420368475.gif C . C、2D . D、https://assets.asklib.com/psource/2016071515421080161.gif

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• 三相半波可控整流电路中的三只晶闸管在电路上（）。

  A . A.绝缘 B . B.混联 C . C.并联 D . D.串联

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• 在三相半波可控整流电路中，每只晶闸管流过的平均电流与负载的平均电流相同。

  A . 正确 B . 错误

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• 三相半波可控整流电路中，三只晶闸管的触发脉冲相位间隔（）。

  A．90° B．120° C．.150° D．180°

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• 带平衡电抗器三相双反星形可控整流电路中，每只晶闸管渡过的平均电流是负载电流的（)。A.1/2倍B.1/3

  带平衡电抗器三相双反星形可控整流电路中，每只晶闸管渡过的平均电流是负载电流的()。 A.1/2倍 B.1/3倍 C.1/4倍 D.1/6倍

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• BE006三相桥式半控可控整流电路一般由3只二极管和3只可控硅组成。（)

  是 否

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• 三相半波可控整流电路带电阻负载时，每只晶闸管的最大导通角为（)。

  A．150O B．90O C．120O

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• 单相半波可控整流电路一共有（）只晶闸管。

  A.1 B.2 C.3 D.4

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• 三相半波可控整流电路可由（）只晶闸管组成

  A．3 B．5 C．4 D．2

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• 在三相半波可控整流电路中，每只晶闸管的最大导通角为（)度。

  A．30 B．60 C．90 D．120

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• 硅整流柜和可控硅柜安装完毕后都需进行直流供电系统调试。蓄电池首次放电完毕后，应即进行充电，间隔时间（）

  A．不宜超过24 h B．不宜超过10 h C．不宜超过8 h D．不宜超过l h

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• 三相桥式可控整流电路中，一般情况下，我们知道，每只晶闸管承受度最高正反向电压值为变压器二次相电压的最大值。（）

  是 否

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• 233、在实际生产应用中，可控直流电源多为可控整流电源，其核心是可控整流电路。

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• 陈列表款的数量决定了前柜陈列的美观性，1.5米直柜可陈列腕表（）只

  A．40-50 B．60-80 C．20-40 D．45-60

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