过冷是晶核形成的必要条件。()
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在金属的结晶中,随着过冷度的增大,晶核的形核率N和长大率G都增大,在N/G增大的情况下晶粒细化。
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共沉淀是指待分离的组分在可溶条件下,由于表明吸附、吸留、共结晶或形成晶核等作用,为共沉淀剂带下来的一种沉淀分离技术,请指出哪一种不是常用的无机共沉淀剂?()。
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钢液凝固过程中,过冷度越小,晶核临界半径越大,晶核就难以形成。
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随着过冷度的增大,晶核形核率N(),长大率G()。
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共沉淀是指待分离的组分在可溶条件下,由于表明吸附、吸留、共结晶或形成晶核等作用,为共沉淀剂带下来的一种沉淀分离技术。常用的无机共沉锭剂是()
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共沉淀是指待分离的组分在可溶条件下,由于表明吸附、吸留、共结晶或形成晶核等作用,为共沉淀剂带下来的一种沉淀分离技术。下列哪项不是常用的有机共沉淀剂()。
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共沉淀是指待分离的组分在可溶条件下,由于表明吸附、吸留、共结晶或形成晶核等作用,为共沉淀剂带下来的一种沉淀分离技术。常用的有机共沉淀剂是()
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熔融金属仅因过冷产生晶核的成核过程称为()。
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共沉淀是指待分离的组分在可溶条件下,由于表明吸附、吸留、共结晶或形成晶核等作用,为共沉淀剂带下来的一种沉淀分离技术。常用的有机共沉淀剂是()。
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共沉淀是指待分离的组分在可溶条件下,由于表明吸附、吸留、共结晶或形成晶核等作用,为共沉淀剂带下来的一种沉淀分离技术。不是常用的有机共沉淀剂是()。
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熔池晶核长大时所增加的表面能形成晶核时所增加的表面能要小,所以,晶粒长大比形核所需的过冷度().
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钢水的过冷度越大则产生的晶核()
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熔体形成玻璃正是由于过冷熔体中晶核形成最大速率所对应的温度()晶体生长最大速率所对应的温度所致。
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共沉淀是指待分离的组分在可溶条件下,由于表明吸附、吸留、共结晶或形成晶核等作用,为共沉淀剂带下来的一种沉淀分离技术。请指出哪一种不是常用的有机共沉淀剂?()。
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过冷度越大,临界晶核尺寸( )。
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金属晶体结晶时,晶核生长速率与动态过冷度成正比,则( )。
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过冷度越大,临界晶核尺寸( )。
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在工厂生产条件下,过冷度增大,则临界晶核半径减少,金属结晶冷却速度越快,形核率N和晶核长大速度G的比值N/G越大,晶粒越细小。
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【判断题】当沉淀(构晶)离子浓度的乘积超过该条件下沉淀的溶度积时,离子通过相互碰撞聚集形成微小的晶核。
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在成核生长型相变过程中,在一定范围内,随着过冷度增加,成核位垒∆G*增加,晶核形成越容易。
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液态金属凝固时,临界晶核半径与过冷度成反比。
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晶核长大的条件是什么?过冷度对长大方式和长大速度有什么影响?
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