二极管的正向特性明显分为两个区域,分别是()和()区;对硅管而言,这两个区的电压大致为()和0.7V。
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开关二极管和普通二极管的导电特性相同,即加正向偏置电压导通,正向电阻很小;加反向偏置电压截止,()电阻很大。
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晶体三极管的工作状态分为三个区域,当发射结正向偏置,集电结反向偏置时,曲线近似水平的部分称为()。
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在二极管特性的正向区,二极管相当于()
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齐纳二极管和雪崩二极管具有相似的伏安特性,该特性分为三个区,即()。
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反映二极管的电流与电压的关系曲线叫二极管的伏安特性曲线,有正向特性曲线和反向特性曲线之分。
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晶体三极管的特性可分为正向特性、反向特性及反击穿特性。
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三极管工作在饱和区时,两个PN结的偏量是:发射结加正向电压,集电极加正向电压。
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晶体三极管的输出特性曲线可分为截止区、放大区和()三个区域。
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三极管工作在饱和区时,两个PN结的偏置是:()加正向电压,()加正向电压。
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在晶体二极管特性的正向区,晶体管相当于断开的开关。
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硅整流二极管的()和()分别是它们的两个电极,可分为()管子和()管子。
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当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区,而且所受正向电压大于其门坎电压时,则晶体二极管相当于()
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在计算机仿真实验中,光电管的伏安特性曲线分为正向伏安特性曲线和()伏安特性曲线两个部分
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在晶体二极管特性的正向区,晶体管相当于()。
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在三极管的输出特性曲线上,按照工作状态分为:工作区和截止区。
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二极管的伏安特性当温度降低后,二极管的正向电压和反向电流分别按如下规律变化()
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三极管的输出特性曲线的上升和弯曲部分为饱和区()
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测量二极管时,将万用表选择开关旋至RF100或RF1K档上,然后用正负表笔分别按正向和反向接线测量二极管两端,这时发现所测得的两个读数相差不大,说明该二极管没有损坏。
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在晶体二极管特性的正向区,晶体管相当与()。
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在图9.4.9所示的两个电路中,已知ui=30sinwtV,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压uo的波形。
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晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域,分别是()、()和()。
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开关二极管和普通二极管的导电特性相同,即加正向偏置电压导通,正向电阻很小;加反向偏置电压截止,()电阻很大。
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构件在交变应力作用下发生破坏时,其断口明显地分为两个区域,即()区和()区。
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GTR的共发射极接法时输出特性分为截止区、放大区和饱和区三个区域,在电力电子技术中,GTR能够工作的区域是()
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