单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时,晶体管就导通。此题为判断题(对,错)。
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在摘机状态,电压升高,使晶体管饱和导通下集电极电压为()时,允许键主输入。
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单结晶体管的发射极电压升到()电压时,单结晶体管就导通。
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单结晶体管导通后,其发射极电流小于谷点电流时,就会恢复截止。
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交流脉冲调宽式晶体管电压调节器,当发电机电压降低时,功放管的导通比()
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单结晶体体管的参数很多,其中峰点电压Up和峰点电流Ip及谷点电压Uu和俗点电流Iu两项参数的含义是什么?
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对于NPN型晶体管共发射极电路,当增大发射结偏置电压Ube时,其输入电阻也随之增大。
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晶体管工作在放大状态时,必须满足外加电压发射结(),集电结()。
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在单结晶体管的电路中,电容上的电压象锯齿一样的变化,形成有规律的振荡,所以叫()电路。
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晶体三极管的发射结处于正向偏置时,三极管就导通。
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交流电的瞬时电压使二极管正极电位高于负极电位时就导通。
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单结晶体管的振荡电路是利用单结晶体管发射特性中的()。
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当单结晶体管的发射极电压UE升高到()时,就会导通。
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晶体三极管的输入特性曲线是非线性的,当输入电压小于某一临界值时,管子不导通,Ib=0,这个临界电压称为()
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一般单结晶体管的谷点电压在()V。
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晶体管非门电路如图所示,已知U cc =15V,U B =-9V,R c =3kΩ,R B =20kΩ,β=40,当输入电压U1=5V时,要使晶体管饱和导通,R x 的值不得大于()kΩ。(设U BE =0.7V,集电极和发射极之间的饱和电压U ces =0.3V) https://assets.asklib.com/psource/2016071816380514825.jpg
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加在发射极上的电压高于峰点电压后,单结晶体管就导通。()
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单结晶体管由负阻转化为饱的转折点时的发射极电压成为()电压。
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()由发光二极管和光敏晶体管组成,当在发光二极管二端加正向电压时,发光二极管点亮,照射光敏晶体管使之导通,产生输出信号。
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晶体二极管的特性,只有在()时导通,而在反向电压时不能导通。
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单结晶体管的图形符号中有()发射极。
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单结晶体管的发射极电压高于峰点电压时,晶体管导通。( )
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2、NPN型晶体管饱和导通后,晶体管的输出电压等于()。
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电路如图所示,稳压管的稳定电压UZ=4.3V,晶体管的UBE=0.7V,R1=R2=R3=300Ω,R0=5Ω。试估算: (1)输出电压的可调范围; (2)调整管发射极允许的最大电流; (3)若UI=25V,波动范围为±10%,则调整管的最大功耗为多少。
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当单结晶体管的发射结电压高于()电压时导通
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