可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）Ｖ。
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断开控制极后，可重复加在阳极与阴极间的最大电压叫可控硅的反向峰值电压。
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可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）V。
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晶闸管反向阻峰值电压规定比反向击穿电压小（）。
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三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为变压器二次侧相电压峰值的（）倍。
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一般规定二极管的反向工作电压为反向击穿电压的4／5。
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当二极管外加反向电压在反向击穿电压以内范围变动时，反向电流（）。
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最大反向工作电压是保证二极管不被击穿而规定的最高反向（）。
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二极管最高反向峰值电压一般是反向电压的2/3（）
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当二极管外加反向电压超过一定数值后，反向电流突然（），此称为二极管反向击穿，这时所对应的电压称为反向击穿电压。
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二极管所允许的最高反向工作电压的峰值等于反向击穿电压。（）
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KP10-20表示普通反向阻断型晶闸管的正反向重复峰值电压（）。
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稳压管工作于反向击穿区，当反向电压小于其击穿电压时，反向电流（）。
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二极管的最高反向工作电压（峰值）就是二极管反向击穿电压值。
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什么叫二极管的反向击穿和反向击穿电压？
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如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）。
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二极管规定的最高反向工作电压是击穿电压的（）。
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二极管反向击穿电压大小与温度有关，温度升高反向击穿电压增大。
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二极管的反向击穿电压大小于温度有关，温度升高反向击穿电压增大。（）
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晶体二极管的最高反向工作电压是指晶体二极管两端的反向电压不能超过规定的电压所允许的值。如超过这个允许值，将可能击穿。（）
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一般规定二极管的反向工作电压为其反向击穿电压的一半左右（）
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通常选取晶闸管的正向阻断电压和反向峰值电压分别为电路中晶闸管实际承受的最大正向电压和最大反向电压的（）
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当加到二极管上的反向电压增大到一定的数值时，反向电流会突然增大，该反向电压值被称为反向击穿电压，此现象被叫做反向击穿现象（）
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当反向电压小于反向击穿电压时，二极管2的反向电流很小，当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。（)
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晶体二极管的最高反向电压为反向击穿电压值的（）