位错攀移
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位错的攀移
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问:螺位错可以攀移。()
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刃型位错和螺型位错
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利用()观察位错有一定的局限性,它只能观察在表面露头的位错,而在晶体内部的位错则无法显示。
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fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2;此位错为( )。
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fcc晶体中(111)面上有柏氏矢量为a[1-10]/2的全位错,(11-1)面上有柏氏矢量为a[011]/2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a[2-1-1]/6和a[-121]/6,则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错,该新反应得到的位错( )运动。
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不能发生攀移运动的位错是( )。
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fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2;此位错为( )。
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fcc晶体中(111)面上有柏氏矢量为a[1-10]/2的全位错,(11-1)面上有柏氏矢量为a[011]/2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a[2-1-1]/6和a[-121]/6,则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错,该新反应得到的位错( )运动。
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典型的位错包括刃位错与()位错。
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阐述位错概念提出的背景和位错理论的贡献。
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8、位错胞是由高密度位错相互缠结形成的
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6、刃型位错攀移后会发生哪些变化?
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能进展攀移的位错必然是()。
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5、5. 螺位错沿垂直滑移面的方向进行的运动称攀移。
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1、1. 螺位错的位错线()于滑移方向。
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5. 螺位错沿垂直滑移面的方向进行的运动称攀移。
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7、沉淀强化的作用机理是位错不断绕过第二相粒子,在粒子周围形成一个位错塞积群,阻碍后续位错靠近;另一方面相邻粒子间距随着位错环的塞积而减小,增大了位错运动的阻力,进一步使金属得到强化。
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3、螺位错的位错线是()
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11、单选题 能易于进行交滑移的位错是()。 A:刃型位错; B:螺型位错; C:混合位错 d 自由位错
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位错运动时,易产生增殖;运动时易于发生相互交割,形成割阶,引起位错缠结,因此造成位错运动的障碍。()
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119、只有刃位错才能攀移
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3、位错的攀移和交滑移有什么不同?位错交截中在什么情况下产生阻碍性割阶?
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刃型位错和螺旋位错不能一起出现
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