用1M×4的DRAM芯片通过（）扩展可以获得4M×8的存储器。

相似题目

• 存储系统的刷新地址提供给所有DRAM芯片。

  A . 正确 B . 错误

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• “4K×4位”DRAM芯片有几根地址线？有几根数据线（不考虑输入/输出分别缓冲）？

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• 某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线数目分别为（）。

  A . 8；512 B . 512；8 C . 18；8 D . 19；8

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• 为了提高CPU访问硬盘的工作效率，硬盘通过将数据存储在一个比其速度快得多的缓冲区来提高与CPU交换的速度，这个区就是高速缓冲区，它是由DRAM芯片构成的。

  A . 正确 B . 错误

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• 存储系统每次给DRAM芯片提供刷新地址，被选中的芯片上所有单元都刷新一遍。

  A . 正确 B . 错误

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• 采用与上题相同容量的DRAM芯片，则该芯片的地址线条数为（）。

  A . 14 B . 7 C . 9 D . 10

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• 组成16M*8位的存储器，需要1M*4位的存储芯片（）片。

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• 若用1M*4位的存储芯片组成64MB的存储器，需要这种芯片多少个（）

  A . 64个 B . 64M个 C . 128个 D . 32个

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• 由4M×1位DRAM存储芯片构成8M×8位高集成度的内存条，所需该存储芯片的片数为（）

  A . 4 B . 8 C . 16 D . 32

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• 某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线数目为（）。

  A . 8，512 B . 512，8 C . 18，8 D . 19，8

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• 若某存储器芯片的容量为“4M×16×4”，其中的3个数字分别表示什么？

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• 微机大容量主存一般采用DRAM芯片组成。

  A . 正确 B . 错误

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• 对DRAM芯片的刷新是按（ ）进行的。

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• 半导体存储器芯片可以分为DRAM和SRAM两种，PC机中内存条一般由其中的 芯片组成。

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• 12、用32片4K×4位的存储芯片构成字长为8位的存储系统的容量为 ，共需寻址线 根，每个存储芯片的最少引出脚是 根。

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• 12、假定用若干个2K*4位的芯片构成一个8K*8位的存储器，则地址0B1FH所在芯片的最小地址是（）

  A．0000H B．0600H C．0700H D．0800H

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• 某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线数目为_______。

  A．8，512 B．512，8 C．18，8 D．19，8

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• 假定用若干个2K*4位芯片组成一个8K*8位存储器，则0B1FH所在的芯片的最小地址是

  A．0000H B．0600H C．0700H D．0800H

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• 某SRAM芯片容量为1M×8位，除电源和接地端外，控制端有E和WE，该芯片的管脚引出线数目是（)。

  A．20 B．28 C．30 D．32

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• 试用NMOS静态RAM2112（256×4)芯片完成下列工作:（1)用多少片2112芯片才能组成1K×8的内存单元？（2)寻址1K×8内存单元需用多少根地址线？（3)画出1K×8RAM的接线图.

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• 有一个16K×16位的存储器，由1K×4位的DRAM芯片构成（芯片是64×64结构)。问：（1)共需要多少RAM芯片？（2)采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少（3)如采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少读／写周期？死时间率是多少？

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• 与DRAM芯片相比，SRAM芯片的特点是______。

  A．集成度高、存取周期长 B．集成度低、存取周期长 C．集成度高、存取周期短 D．集成度低、存取周期短

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• 4、含尘气体通过长4m、宽3m、高1m的降尘室，已知颗粒的沉降速度为0.25m/s，则降尘室的生产能力为（）。

  A．3 m3/s B．1 m3/s C．0.75 m3/s D．6 m3/s

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• “4K×4位”DRAM芯片有几根地址线？有几根数据线？

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