晶闸管有P、N、P、N四层结构，（）PN结。
相似题目
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可控硅是一种按P—N—P—N型次序排列的四层硅半导体器件。（）
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PN结具有单向导电性，当P区接电源的正极，N区接电源的负极，叫做（）。
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三极管有几个P/N结？（）
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对于概率矩阵P，当n→∞时，Pn称之为P的（）
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一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中（）。
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用特殊工艺把P型和N型半导体结合在一起，在它们交界面上形成的特殊（）称做PN结。
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二级管实质上就是一个PN结，P区的引出端叫负极，N区的引出端叫正极
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晶闸管有阳极、阴极和控制极，其内有四层PNPN半导体，（）个PN结。
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光电池的工作原理是基于光生伏特效应的，硅光电池是在N型硅片中掺入P型杂质形成一个大面积的PN结。
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PN结内电场方向为P→N。
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将PN结串联在电路中，正极接N型部分，负极P型部分，因而在电路中形成了电流，这个电流称正向电流。（）
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对于PN结，当P端接电源正极，N端接电源负极时，PN结处于（）状态。
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当未加外部电压时，PN结中电流从N区流向P区。
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晶闸管是一个四层三端元件，其内部有三个PN结，三端的名称分别是（）。
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N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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由两种不同类型的半导体所形成的PN结具有（）导电性，其中N极接正，而P极接负的电压称为（）电压，此时PN结截止。
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晶闸管是一个四层三端元件，其内部有（）PN结。
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P N 结加正向电压时，P N 结 _ ____________ ；加反向电压时，P N 结截止 。这种特性称为P N 结的单向导电性。
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N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电， 而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。此题为判断题(对，错)。
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一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
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PN结可以看成一个电容，空间电荷区域相当于介质，P区和N区则为导体（）
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将PN结P区接电源正极，N区接电源负极，此时PN结处于（）偏置。
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PN结空间电荷区又称为__，在平衡条件下电性呈__，P区侧应带__，N区一侧应带__内建电场方向从__指向__