ARM处理器如果R1＝0x98001200，已知在小端模式下，内存0x98001204中存放数据0x35，0x98001205中存放数据0x36，0x98001206中存放数据0x37，0x98001207中存放数据0x38，在指令LDRR0，[R1，#4]执行后，R0中的值为（）。

相似题目

• 已知ARM处理器R1＝0x12345678，R2=0xFF008899，则执行指令ANDR0，R1，R2后，寄存器R0＝（），R1＝（）。

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• 已知R1=5、R2=10，把R1和R2串联后接入220伏电源，R1上的分压应为（）。

  A . A.U =73.3V B . B.U =60.3V C . C.U =110V D . D.U =30.3V

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• 在以下ARM处理器指令中可让寄存器R1中指定位“清零”的指令操作码为（）。

  A . MOV B . AND C . ADD D . ORR

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• 在以下ARM处理器的指令操作码中可让寄存器R1中的指定位“置位”的指令操作码是（）。

  A . MOV B . AND C . ADD D . ORR

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• 已知R1=28、R2=30，如果把这两个电阻串联起来，其总电阻为（）。

  A . A.R=28 B . B.R=30 C . C.R=2 D . D.R=58

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• 已知某段导体的电阻为R1，如果将此导体切成两截，然后再合起来形成电接触，测得该段导线电阻为R2，则R1、R2的关系是：（）

  A . R1＜R2 B . R1＞R2 C . R1=R2 D . 不能确定

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• 执行ARM指令STR R0，[R1，#4]!之后，以下说法正确的是（）。

  A . R0的值加4 B . R1的值加4 C . 内存中的数据保持不变 D . R1的值保持不变

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• ARM指令LDR R0，[R1，#4]!执行后，以下说法正确的是（）。

  A . R0中的值不变 B . R1中的值不变 C . 内存中的值不变 D . R0和R1中的值均不改变

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• 已知R1=0x20000000，R0=0x55667788，在大端模式下执行ARM指令STRR0，[R1]之后，0x20000003中的值为（）。

  A . 0x55 B . 0x66 C . 0x77 D . 0x88

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• 如图7.2-54，已知电路在t=0s时刻和t=1s时刻出现两次换路。如果R1=R2=R3=10Ω、C=200μF，uC（0-）=0，那么如下描绘电容电压uC变化规律的波形是（）。https://assets.asklib.com/psource/2015110109570693818.jpg

  A .https://assets.asklib.com/psource/2015110109572566148.jpg B .https://assets.asklib.com/psource/2015110109574614209.jpg C .https://assets.asklib.com/psource/2015110109580132833.jpg D .https://assets.asklib.com/psource/2015110109582345458.jpg

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• 有关系模式R（职工号，姓名，性别，部门，经理，部门电话，地点），对R进行规范化处理后，分解为R1（职工号，姓名，性别，部门）和R2（部门，经理，部门电话，地点）两个关系。语义说明：已知职工号就可以确定职工的姓名、性别和部门；已知部门就可以确定部门的经理、部门电话和地点。 回答下列问题，答案写在空格中。 （1）R的主键是什么，R属于什么NF。 （2）对R进行分解的原因是R中存在什么依赖。 （3）R1属于什么NF。 （4）R1的外键是什么。

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• 将R1R2并联组成电路，已知R1：R2＝3：1，如果电路中的电流强度为1.2A，则通过R1的电流为（）A。

  A . 0.9 B . 0.3 C . 0.6 D . 0.4

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• 在小端模式下，通过ARM伪指令MyData DCW 0x1122，0x3344，0x5566，0x7788在内存中定义了4个16位操作数，则在伪指令LDR R1，=MyData后执行指令LDR R0，[R1，#4]，则R0的值为（）。

  A . 0x77885566 B . 0x11223344 C . 0x44556677 D . 0x88776655

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• 将电阻R1、R2并联组成电路，已知R1：R2＝3：1如果电路中的电流强度为1.2A，则通过R2的电流强度为（）A。

  A . 0.9 B . 0.3 C . 0.6 D . 0.4

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• ARM处理器如果R1＝0x00000080，则指令MOVR0，R1，LSL#2执行后，R0的值为（）。

  A . 0x00000200 B . 0x00000320 C . 0x00000020 D . 0x00000040

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• ARM处理器在比较指令之后，如果要依据是否相等转移到指定地址L1，则以下指令错误的是（）。

  A . BEQ L1 B . BNE L1 C . BXEQ L1 D . BLAL L1

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• 已知内存单元0x60000000~0x60000003以小端模式存放一个32位数据0x32303134，R1=0x60000000，R0=0，执行ARM指令LDRHR0，[R1]之后，R0的值为（）。

  A . 0x32303134 B . 0x00003230 C . 0x00003134 D . 0x00000032

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• ARM处理器将R0中一个字的数据，存入由R1指示的内存区域，则使用的指令是（）。

  A . STRR0，[R1] B . LDRR0，[R1] C . STRHR0，[R1] D . STRBR0，[R1]

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• 执行ARM指令STR R0，[R1，4]!之后，以下说法正确的是（）

  A．R0的值加4 B．R1的值加4 C．内存中的数据保持不变 D．R1的值保持不变

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• ARM处理器如果R1＝0x98001200，已知在小端模式下，内存0x98001204中存放数据0x35，0x98001205中存放数据0x36，0x98001206中存放数据0x37，0x98001207中存放数据0x38，在指令LDRR0，[R1，4]执行后，R0中的值为（）。

  A．0x35363738 B．0x36353837 C．0x38373635 D．0x37383536

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• 如果已知r1=-0.7，r2=0.7，那么r1和r2代表的相关程度相同。

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• ARM处理器从ARM状态切换到Thumb状态，可以通过执行何种指令实现（）

  A．B B．BL C．BX D．BD

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• 已知ARM处理器R1＝0x12345678, R2=0xFF008899，则执行指令AND R0,R1,R2后，寄存器R0＝（）___________________。

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• 将R1，R2并联组成电路，已知R1：R2=3：1，如果电路中的电流强度为1.2A，则通过R1的电流为（)A。

  A．0.9 B．0.3 C．0.6 D．0.4

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