11、位错的密度可以用柏氏矢量表示。

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• fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（        ）。

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• fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错，该新反应得到的位错（    ）运动。

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• 在体心立方晶体结构中，柏氏矢量为a［100］的位错（     ）分解为a[111]/2+a[1-1-1]/2。

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• 如果有两根位错线，位错线L1，柏氏矢量b1，位错线L2，柏氏矢量b2。当b1垂直L2时，L1对L2交截作用产生的位错线段大小等于b1。

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• fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（ ）。

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• fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错，该新反应得到的位错（ ）运动。

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• fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[11-2],柏氏矢量b=a[-110]/2；此位错可以分解为a[-12-1]/6+a[-211]/6。

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• fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生反应形成的新的位错柏氏矢量为（ ）。

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• fcc晶体中，柏氏矢量为a[101]/2的螺型位错能在(11-1)和(1-1-1)面上交滑移。

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• 单位位错是柏氏矢量恰好等于单位点阵矢量的位错。所以fcc中单位位错的柏氏矢量为a＜110＞/2。

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• 如图3.10所示，在电荷体密度为ρ的均匀带电球体中，存在一个球形空腔。若将带电体球心O指向球形空腔球心O'的矢量用a表示，试证明球形空腔中任一点电场强度为<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-11-09/97380685115997.png' />

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• 螺位错的柏氏矢量与位错线呈（） 关系。

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• 若面心立方晶体中有b=a/2[-101]的全位错和b=a/6[12-1]的不全位错,此两位错相遇发生位错反应,试问: （1)此反应能否进行？为什么？ （2)写出合成位错的柏氏矢量,并说明合成位错的性质。

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• 2-5.（20分）两个柏氏矢量相互平行的刃型位错交割后形成割阶还是扭折？请画图说明。

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• 在简单立方二维晶体中画出一个刃型位错，并用柏氏回路求出其柏氏矢量。

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• 5、混合位错的柏氏矢量可以分解为刃型分量和螺型分量。

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• 图中A是面心立方结构中的扩展位错，B是封闭的位错环，它的柏氏矢量和A左边的部分位错的相同。A和B都向左移动时，不改变其形状和尺寸，问位错扫过后滑移面两侧原子的移动方式是否相同？

  <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/uploadfile/5202001-5205000/5d9a8f8bc724f4383ad6d59adc0ca25a.png' />

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• 20、位错密度越高，相应位错的伯氏矢量越大。

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