当温度升高时，晶体三极管的参数（ ）。
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当环境温度升高时，三极管的反向饱和电流Iabo将会（）。
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晶体三极管的电流放大倍数随温度升高而（）。
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当环境温度升高时，半导体三极管的反向饱和电流Iabo将会（）。
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晶体三极管工作时，温度升高其死区电压（）；输入特性曲线（）。
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温度升高时，三极管参数正确变化的是（）
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当温度升高时三极管的反向饱和电流ICBO（）所以Ic也（）。
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温度减小时，使晶体三极管参数发生如下变化（）。
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当温度升高时，三极管的等电极电流I（），发射结压降BEU（）。
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温度升高、晶体三极管的输人特性曲线向右偏移。（）
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当温度升高时，二极管的后向漏电流（）。
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温度升高时，晶体三极管的共射输入特性曲线将（）。
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当环境温度升高时，晶体三极管的输出特性曲线将（）。
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当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。
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晶体三极管的直流输入电阻和交流输入电阻都和温度有关，温度升高，直流输入电阻和交流输入电阻都增大。
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当温度T升高时，三极管的Icbo将增大.（）
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当温度T升高时,三极管的Icbo将增大.()
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当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降（）。
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当温度升高时，晶体管的β（）
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晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少（）。
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当环境温度变化时，二极管的（）将随之变化。（晶体管）
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当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic增加，发射结压降∪BE减小（）
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半导体三极管主要参数有一只晶体管，其α值为0.98，当发射极电流为2mA时，该管的β值是（）
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当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）。（晶体管）
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晶体管的参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β、的变化情况分别为（）
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