自掺杂效应
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细胞因子的自分泌效应
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交感神经节前纤维自脊神经腹根离开脊髓到效应器,需在何神经节内换元().
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什么是渐变型多模光纤自聚焦效应?
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何为高掺杂效应?
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泰伯效应(自成像)
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在半导体中掺人微量的有用杂质,制成掺杂半导体。掺杂半导体有()。
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再流焊工艺的最大特点是具有自定位效应。()
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光纤非线性效应中自相位调制(SPM)产生机理是()
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用测量结构应变时可以使用“温度自补偿应变片”消除温度效应。
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自分泌效应
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晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
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掺杂的目的是什么?掺杂在何时进行?惨杂方法有哪几种?
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晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术,一次掺杂成功。
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短波自适应通信技术有效克服了“静区”效应。
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自分泌效应(autocrine action)
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电力场效应晶体管具有自关断能力,而且具有()、可以直接与数字集成电路连接.
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场效应管放大器都可以采用”自偏压”。
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半导体材料受到应力作用时,其电阻率会发生变化,这种现象称为()。其是因在外力作用下,原子点阵排列发生变化,导致载流子迁移率及浓度发生变化而形成的,由于半导体(如单晶硅)是各向异性材料,因此它的效应不仅与掺杂浓度、温度和材料类型有关还与晶向(晶面的法线方向)有关。
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电力场效应晶体管具有自关断能力,而且具有输入阻抗高的特点()
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判断:(1)气相外延时,能够通过使用低温硅源降低工艺温度来彻底避免自掺杂效应引起的杂质再分布。 (2)掺杂剂需要用氢稀释十~五十倍,以减小掺杂气体的流量误差。
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15、制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
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掺杂半导体根据掺杂类型不同又分为哪两种?
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一般情况下,晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。()
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2、自偏置电路只适用于结型场效应管。