电力晶体管(GTR)在使用时，要防止()

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• GTR在应用中应特别注意二次击穿问题，在电感性负载和大电流开关电路中，二次击穿是晶体管毁坏的主要原因。二次击穿将造成GTR的永久性损坏，不具有可逆性。发生二次击穿必须同时具备三个条件，即高电压、大电流和（）。

  A . A、电场 B . B、持续时间 C . C、磁场 D . D、应力

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• 电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。

  A . 正确 B . 错误

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• 电力晶体管（GTR）最大容量为1200V/400A，阳佳工作频率约为1—10kHz，适用于500V²A以上的应用场合。

  A . 正确 B . 错误

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• 电力晶体管在使用时，要防止（）。

  A . A、二次击穿 B . B、静电击穿 C . C、时间久而失效 D . D、工作在开关状态

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• 电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

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• 电力晶体管GTR内部电流是由（）形成的。

  A . A、电子 B . B、空穴 C . C、电子和空穴 D . D、有电子但无空穴

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• 什么是电力晶体管（GTR）？它有何特点？

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• GTR电力晶体管有（）等优点。

  A . 自关断能力 B . 开关时间短 C . 体积大 D . 饱和压降低 E . 安全工作区宽

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• 绝缘栅双极晶体管IGBT将（）和GTR的优点集于一身。

  A . GTO B . MOSFET C . IPM D . GBT

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• 电力晶体管GTR有（）个PN结。

  A . A、1 B . B、2 C . C、3 D . D、4

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• 大功率晶体管GTR过电流保护有（）方式。

  A . A.状态识别保护法 B . B.RCD吸收保护法 C . C.LEM模块保护法 D . D.桥臂互锁保护法

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• 试说明功率晶体管（GTR）的安全工作区SOA由哪几条曲线所限定？

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• 下列选项中，（）不是常用的电力晶体管（GTR）。

  A . A．单管 B . B．达林顿管 C . C．GRT模块 D . D．IPM

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• GTR是一种（）晶体管．

  A . 双极型 B . 单极型 C . 混合型 D . 三极型

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• 大功率晶体管GTR在逆变电路中是用来作为开关器件的，其工作过程总是在（）之间进行交替的

  A . A．放大状态和饱和状态 B . B．饱和状态和低阻状态 C . C．放大状态和截止状态 D . D．饱和状态和截止状态

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• 电力晶体管在使用时要防止二次击穿。

  A . 正确 B . 错误

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• 电力晶体管（GTR）有哪些特点？

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• 实际使用电力晶体管时，必须要有电压电流缓冲保护措施。

  A . 正确 B . 错误

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• 电力晶体管(GTR)是一种( )结构的半导体器件。

  A、四层三端 B、五层三端 C、三层二端 D、三层三端

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• 电力晶体管GTR有（B）个PN结（）

  A．1 B．2 C．3 D．4

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• 电力场效应管MOSFET在使用和存放时，要防止（C）（）

  A．时间久而失效 B．二次击穿 C．静电击穿 D．饱和

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• 电力晶体管GTR内部电流是由（C）形成的（）

  A．电子 B．空穴 C．电子和空穴 D．有电子但无空穴

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• 电力晶体管GTR在逆变电路中是用来作为开关元件的，其工作过程总是在（)之间进行交替的。

  A．放大状态和饱和状态 B．饱和状态和低阻状态 C．放大状态和截止状态 D．饱和状态和截止状态

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• GTR的共发射极接法时输出特性分为截止区、放大区和饱和区三个区域，在电力电子技术中，GTR能够工作的区域是（）

  A.截止区B.放大区C.饱和区D.

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