半导体中施主能级的位置位于（）中。

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• 当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。

  A . A.1 B . B.1/2 C . C.1/3 D . D.2/3

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• 说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。

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• 由施主能级激发到导带中去的电子来导电的半导体，称为（）。

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• 说明半导体中浅能级杂质和深能级杂质的作用有何不同？

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• 在同时含有施主杂质和受主杂质的半导体中，由于受主能级比施主能级低得多，施主能级上的电子首先要去填充受主能级，使施主向导带提供电子的能力和受主向价带提供空穴的能力因相互抵消而减弱，这种现象称为杂质补偿。

  A . 正确 B . 错误

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• 若n型硅中掺入受主杂质，费米能级升高还是降低？若温度升高当本征激发起作用时，费米能级在什么位置，为什么？

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• 如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。

  A . 大于 B . 等于 C . 小于 D . 有效的复合中心

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• 在半导体计算中，经常应用这个条件把电子从费米能级统计过渡到玻耳兹曼统计，试说明这种过渡的物理意义。

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• 施主能级

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• 一般情况下，P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。

  A . A.高于 B . B.小于 C . C.等于 D . D.无法确定

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• 当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。

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• 施主能级和导带底之间的能量差，称为（）。

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• 半导体中受主能级的位置位于（）中。

  A . 禁带 B . 价带 C . 导带 D . 满带

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• 半导体中施主能级的位置位于（）。

  A . 禁带 B . 满带 C . 导带 D . 价带

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• 在直放站的设计安装中，施主天线的位置应安装在（）

  A . 信号强度满足施主小区要求的地方 B . 低楼层信号强度强和质量好且隔离度好的位置 C . 方便设计和施工的地方 D . 较多信号强度强的地方

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• 为什么金元素在锗或硅中电离后可以引入多个施主或受主能级？

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• 如果向半导体中重掺施主杂质，就你所知会出现一些什么效应？

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• 在半导体中掺入施主杂质，其将成为N型半导体。

  A . 正确 B . 错误

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• 12、半导体的掺杂浓度越高，其费米能级的位置也越高

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• 计算含有施主杂质浓度ND=9X 1015cm3及受主杂质浓度为1.1 X 1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

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• 3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，且杂质浓度基本相等，则该半导体类似于本征半导体，半导体中的载流子基本由本征激发提供

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• 25、真实半导体表面的内表面能级为慢态，外表面能级为快态。（）

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• 19、本征激发占主导地位时，非简并半导体的费米能级趋于禁带的中线位置。

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• 9、肖特基结的势垒高度与金属和半导体费米能级的相对位置有关。

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