功率MOS场效应晶体管具有（）、（）和（）。
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晶体管延时电路可采用单结晶体管延时电路、不对称双稳态电路的延时电路及MOS型场效应管延时电路三种来实现。
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MOS场效应管的英语缩写是（）。
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场效应晶体管根据结构不同，可分为两大类：结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管。
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与晶体管相比，场效应管具有哪些优点？
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绝缘栅双极晶体管具有（）的优点。A、晶闸管B、单结晶体管C、电力场效应管D、电力晶体管和电力场效应管
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场效应晶体管根据结构不同分为两大类，它们的类型和简称是（）
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三极管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。
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电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
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IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。
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绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
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双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。
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CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。
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功率场效应晶体管一般是（）。
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如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？
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SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
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什么是MOS晶体管的有源寄生效应？
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双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。
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电力场效应晶体管具有自关断能力，而且具有（）、可以直接与数字集成电路连接.
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UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有增强型MOS管。
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功率场效应管不具有___________的优点。
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增强型MOS管与结型场效应管的g-s间等效电阻大的原因相同。
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场效应管增强型MOS管具有开启电压（）
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场效应管结型和耗尽型MOS场效应管，具有夹断电压（）
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电力场效应晶体管具有自关断能力，而且具有输入阻抗高的特点（）
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