铁路信号浪涌保护器,纯压敏电阻SPD标称导通电压(压敏电阻的压敏电压)容许偏差为()。
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电信和信号网络的电涌保护器SPD起到保护作用的系统标称电压最高为交流()V、直流()V。
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硅二极管的死区电压为()V,导通电压为()V
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DC600V车的充电机的IGBT单级导通电压为()。
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铁路信号浪涌保护器,电压开关型器件和限压型器件组合而成的组合型SPD标称导通电压的容许偏差为()。
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硅管的导通电压约为0.3V。
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第一级电源浪涌保护器相线连接铜导线的截面积不小于(),地线连接铜导线的截面积不小于();第三级电源浪涌保护器相线连接铜导线的截面积不小于(),地线连接铜导线的截面积不小于();信号线路浪涌保护器SPD接地端宜采用的铜导线截面积不小于()。
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压敏电阻标称导通电压的含义是()。
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硅二极管的导通电压是0.7V()
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晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
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铁路信号浪涌保护器,将放电管和压敏电阻分开测试时,压敏电阻的压敏电压容许偏差为()。
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硅管的导通电压为()
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二极管的导通电压都是0.7V。
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晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
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三极管的导通电压为()。
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各级浪涌保护器(SPD)连接导线应平直,其长度不宜超过()。
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在丰田汽车磁脉冲式无触点电子点火系统电路中,无信号电压输出时Up的设计值应低于晶体管V4的导通电压。
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晶体二极管的导通电压为0.7V。此题为判断题(对,错)。
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硅元素二极管的导通电压约为();锗元素二极管的导通电压约为();
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铁路信号设备雷电防护浪涌保护器,其防雷元器件主要采用气体放电管,金属氧化物压敏电阻器,TVS二极管和防雷变压器等()
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三极管如果有基极电流的话,其BE极电压必须大于二极管的导通电压,如果是常用的硅三极管,这个导通电压大约是()伏。
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晶体三极管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约0.7V,锗管发射结的导通电压约0.3V()
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1、三极管如果有基极电流的话,其BE极电压必须大于内部二极管的导通电压,如果是常用的硅三极管,这个导通电压大约是()伏。
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锗二极管的单项导通电压()
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