绝缘栅双极晶体管（IGBT）开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗低，为电压驱动，驱动功率大（）

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• 绝缘栅双极型晶体管为电流控制元件，输入阻抗小，开关速度高。

  A . 正确 B . 错误

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• 绝缘栅双极型晶体管简称（）。

  A . A、MOSFET B . B、IGBT C . C、GTR D . D、GTO

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• 斩波器中的绝缘栅双极晶体管工作在开关状态。

  A . 正确 B . 错误

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• 电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

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• 绝缘栅双极晶体管IGBT将MOSFET和（）的优点集于一身。

  A . GTO B . GTR C . 二极管 D . GBT

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• 绝缘栅双极晶体管属于（）控制元件。

  A . A、电压 B . B、电流 C . C、功率 D . D、频率

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• 绝缘栅双极晶体管具有（）的优点。

  A . A、晶闸管 B . B、单结晶体管 C . C、电力场效应管 D . D、电力晶体管和电力场效应管

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• 绝缘栅双极晶体管（）电路。

  A . 不必有专门的强迫换流 B . 可以有专门的强迫换流 C . 必须有专门的强迫换流 D . 可以有专门的强迫换流

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• 在全控型器件中，IGBT的开关速度低，开关损耗大。

  A . 正确 B . 错误

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• 绝缘栅双极晶体管IGBT将（）和GTR的优点集于一身。

  A . GTO B . MOSFET C . IPM D . GBT

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• IGBT绝缘栅双极晶体管兼有（）的优点。

  A . 高输入阻抗 B . 高速特性 C . 大电流密度 D . 所需驱动功率小 E . 驱动电路简单

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• 开关电源按其所用开关器可分为IGBT开关电源、双极型晶体管开关电源和（）开关电源。

  A . A、MOSFET管 B . B、二极管 C . C、三极管 D . D、单结晶体管

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• 绝缘栅双极晶体管的开关速度（）电力晶体管。

  A . A、低于 B . B、等于 C . C、稍高于 D . D、明显高于

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• 绝缘栅双极晶体管的开关速度（）电力场效应管。

  A . A、稍高于 B . B、低于 C . C、等于 D . D、远高于

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• 绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（）。

  A . 集电极 B . 栅极 C . 发射极 D . 门极

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• 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是以场效应晶体管作为基极，以（）作为发射与集电极复合而成。

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• 绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的（）。

  A . A、高 B . B、相同 C . C、低 D . D、不一定高

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• 逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用电力场效应管和绝缘栅双极晶体管。

  A . 正确 B . 错误

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• 【填空题】写出对应的全控器件的英文缩写：门极可关断晶闸管___________，绝缘栅极型场效应管____________，绝缘栅双极晶体管___________ 答案: GTO ■ MOSFET ■ IGBT

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• 绝缘栅双极晶体管具有速度快，输入阻抗高，通态电压低，耐压高，电流量大的特点。（)

  是 否

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• 绝缘栅双极晶体管（IGBT)是哪些器件相结合的产物？

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• 绝缘栅双极晶体管的开关速度（D）电力晶体管（）

  A．低于 B．等于 C．稍高于 D．明显高于

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• 电力场效应晶体管的开关速度快于绝缘栅双极晶体管（）

  是 否

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• 请在空格内标出下面元件的英文大写简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有（）、（）、（）、（）几种。并写出它们的电气符号。

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