以下关于时变电磁场的叙述中，正确的是（）

相似题目

• 关于磁场方向，叙述正确的是（）。

  A . 逆磁场方向排列的质子是高能不稳态质子 B . 顺磁场方向排列的质子是高能稳态质子 C . 顺磁场方向排列的质子是高能不稳态质子 D . 逆磁场方向排列的质子是低能稳态质子 E . 逆磁场方向排列的质子是低能不稳态质子

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• 以下关于基准测试的叙述中，正确的是（）

  A . 运行某些诊断程序，加大负载，检查哪个设备会发生故障 B . 验证程序模块之间的接口是否正常起作用 C . 运行一个标准程序对多种计算机系统进行检查，以比较和评价它们的性能 D . 根据程序的内部结构和内部逻辑，评价程序是否正确

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• 下列关于电流形成磁场的叙述，说法正确的是（）

  A . 电流形成的磁场与电流方向平行 B . 电流从一根导体上通过时，用右手定则确定磁场方向 C . 通电导体周围的磁场强度与电流大小无关 D . 通电导体周围的磁场强度与电流大小有关

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• 关于磁场均匀性，叙述正确的是（）。

  A . 磁场均匀性与测量所用的球体大小成正比 B . 磁体的成像区域越大，磁场均匀性越低 C . 磁场均匀性的单位为mT D . 磁场均匀性与成像质量无关 E . 在测量所用球体大小相同的情况下，ppm值越高，说明磁场均匀性越好

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• 以下关于MRBR的叙述中正确的是（）。

  A . A、MRBR是各航空公司制定维修方案的基础 B . B、各机型的MRBR不是用户化的 C . C、相同的机型就只有一个MRBR D . D、其余全部

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• 以下关于VPN的叙述中，正确的是（）

  A . VPN指的是用户通过公用网络建立的临时的、安全的连接 B . VPN指的是用户自己租用线路，和公共网络物理上完全隔离的、安全的线路 C . VPN不能做到信息认证和身份认证 D . VPN只能提供身份认证，不能提供数据加密的功能

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• 以下关于宏的叙述中，正确的是（）

  A . A.可以将VBA程序转换为宏对象 B . B.可以将宏对象转换为VBA程序 C . C.可以在运行宏时修改宏的操作参数 D . D.与窗体连接的宏属于窗体中的对象

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• 下列关于漏磁场的叙述，正确的是：（）

  A . 内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大 B . 缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比 C . 表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而急剧下降 D . 有缺陷的试件，才会产生漏磁场

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• 脉冲式金属探测门的工作原理中，产生时变磁场后，对探测区中的导体产生涡电流，涡流产生的时变磁场在接受线圈中产生电压，并通过处理电路辨别是否报警。

  A . 正确 B . 错误

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• 以下关于磁场叙述不正确的是（）。

  A . 磁场是一种物质 B . 磁场是矢量 C . 任何两条磁力线不相交 D . 磁场方向用左手定则判断

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• 下列关于退磁场的叙述，正确的是：（）

  A . 施加的外磁场越大，退磁场就越大 B . 试件磁化时，如不产生磁极，就不会产生退磁场 C . 试件的长径比越大，则退磁场越小 D . 以上都是

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• 关于磁场强度和磁通密度的叙述，正确的是（）。

  A . 磁场强度与磁导率有关，磁通密度与磁导率无关 B . 磁场强度与磁导率无关，磁通密度与磁导率有关 C . 磁场强度和磁通密度与磁导率都有关 D . 磁场强度和磁通密度与磁导率都无关

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• 下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）

  A . A．缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大 B . B．漏磁场的大小与工件的磁化程度无关 C . C．漏磁场的大小与缺陷的深度和宽度的比值有关 D . D．工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大

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• 下列关于反磁场的叙述中，正确的是（）

  A . 反磁场是由于工件磁化后形成磁极造成的 B . L/D值越大，反磁场越强 C . 反磁场大小与工件形状无关 D . 将工件夹在电磁铁的两极间形成闭合磁路后，没有反磁场 E . A和D是正确的

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• 关于电子设计时应遵循的电磁兼容性准则，以下说法中正确的是（）。

  A . 不应出现由电磁兼容所引发的安全性问题 B . 符合电磁泄漏规范 C . 数字信号与模拟信号的参考地电源完全物理隔离 D . 符合应用领域中所有的EMC标准

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• 下面关于电流形成磁场的叙述中，正确的是（）

  A . 电流通过长圆柱导体形成的磁场是以导体为轴线的同心圆 B . 电流通过线圈产生的磁场大小，各个位置是相同的 C . 通电导体内的磁场与距导体中心的距离成反比 D . 磁场只存在于电流流过的导体内部 E . A和C是对的

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• 关于漏磁场的叙述，正确的是（）

  A . A．缺陷漏磁场的大小与缺陷方向无关 B . B．缺陷漏磁场的大小与缺陷方向有关 C . C．缺陷平行于磁力线方向时，则漏磁场最大 D . D．缺陷漏磁场的大小与磁力线方向无关

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• 下列关于反磁场的叙述，正确的是（）

  A . A．施加的外磁场越大，反磁场就越大； B . B．试件磁化时，如不产生磁极，就不会产生反磁场； C . C．试件的长径比越大，则反磁场越小； D . D．以上都是

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• 时变电磁场中，坡印廷矢量的数学表达式为( )。

  D、

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• 有关便携式电磁轭的叙述，以下叙述正确的是（)。

  A．为了提高探伤能力，一般均采用直流电 B．当磁极与探测面接触不良时，在磁极周围不能探伤的盲区就小 C．磁化力一定时，探伤能力受磁极间距的影响 D．用来检测与磁极连接平行的缺陷

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