结型场效应管具有很高输入电阻的原因是栅源之间PN结反偏。（ ）

相似题目

• 结型场效应管的类型有（）。

  A . N沟道结型场效应管 B . P沟道结型场效应管 C . N沟道增强型MOS管 D . P沟道增强型MOS管 E . N沟道耗尽型MOS管 F . P沟道耗尽型MOS管

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• 绝缘栅型场效应管的输入电流（）。

  A . A.较大 B . B.较小 C . C.为零 D . D.无法判断

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• 结型场效应管的文字符号为（）。

  A . A、S B . B、D C . C、V D . D、A

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• 结型场效应管的输出特性曲线可分为（）。

  A . A、可变电阻区和饱和区 B . B、可变电阻区和击穿区 C . C、饱和区和击穿区 D . D、可变电阻区、饱和区和击穿区

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• 场效应管除了结型场效应管外，还有（）型场效应管；

  A . 绝缘型； B . IGBT型； C . 稳压型；

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• 静电感应场效应管SIT是一种结型场效应管，属于（）

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• 万用表置在Rxlk挡测量结型场效应管，若某两个电极的正、反向电阻相等，且为几千欧，则除此之外的第三个电极为（）

  A . 基极 B . 源极 C . 漏极 D . 栅极

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• 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。

  A . 正确 B . 错误

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• SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等

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• 结型场效应管的UGS跟ID的关系，下述答案中正确的是（）

  A . UGS＝UP，ID＝0 B . UGS＝0，ID＝0 C . UGS＝UP，IP＝IDSS D . UGS＜UP，IP＝0

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• 结型场效应管用作放大时，输入端G、S间应保持（）。

  A . A、反向偏置 B . B、正向偏置 C . C、正向、反向偏置均可

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• N沟道结型场效应管正常工作，应在其栅源之间加正向电压

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• 结型场效应管的漏极d与源极s，和三极管的集电极c与发射极e一样，不可以互换端子。

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• 增强型MOS管与结型场效应管的g-s间等效电阻大的原因相同。

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• P 沟道结型场效应管的夹断电压 V P 为 _______ 。

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• 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其大的特点。/ananas/latex/p/1654

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• 根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。此题为判断题(对，错)。

  是 否

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• 绝缘栅场效应管结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点（）

  是 否

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• N沟道结型场效应管在栅极和源极之间的负电压VGS越高，沟道电阻（）

  A．不一定 B．不变 C．变小 D．变大

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• 4、与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。

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• 当工作在恒流区时，N沟道结型场效应管栅极电位（)源极电位，PN结（)。

  A．大于，正偏 B．小于，反偏 C．等于，零偏压

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• 2、自偏置电路只适用于结型场效应管。

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• 12、要使JFET的输入电阻高，必须通过外加电压保证栅-源之间的PN结反偏。

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• 结型场效应管分为N沟道和P沟道两种结构形式（）

  是 否

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