18、向集电区中掺金会增加三极管的开关时间
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用晶体管图示仪观察显示NPN型三极管的输出特性时,基极阶梯信号的极性开关应置于"+",集电极扫描电压极性开关应置于"-"。
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在分站的断电控制电路中,利用了三极管的开关特性,当三极管截止时,集电极输出()电平
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三极管的内部结构是由基区、()区、集电区及发射结和集电结组成的。
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三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的,故发射极和集电极可以互换使用。
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三极管发射区和基区之间的PN结称为发射结,集电区和基区之间的PN结称为()。
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晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体(N型或P型)构成,所以发射极和集电极可以相互调换使用。
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晶体三极管发射结正偏、集电结反偏时,具有开关特性。
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三极管的集电区的作用是()。(
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三极管工作在放大状态时,发射区是()载流子,基区则是作为输送和控制载流子的基地,集电区是()载流子的。
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Si中掺金的工艺主要用于制造()器件。
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在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。()
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晶体三极管的基区之所以做得很薄,其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电级电流。
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三极管工作在()区域时,集电极与发射极之间相当于开关断开状态。
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三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
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三极管内部由三层半导体材料组成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别为发射结和()。
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当外部供电情况不同时,晶体三极管讲工作在三种不同的状态中,输出特性分为三个区:饱和区、集电区、放大区。
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三极管的基区掺杂浓度最高,集电区的面积最大。()
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要使三极管具有开关作用,发射结加( )偏置电压,集电结加( )偏置电压。
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当三极管基极电位升高使发射结和集电结都处于零偏置时,三极管集电极电流Ic受集电极回路最大供电能力的限制,不再与基极电流成比例增长,三极管的ce极之间相当于开关的“闭合”状态,这种三极管工作状态叫饱和状态。()
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当三极管基极电位升高使发射结和集电结都处于反向偏置时,三极管集电极电流Ic受集电极同路最大供电能力的限制,不再与基极电流成比例增长,三极管的ce极之间相当于开关的“闭合”状态,这种三极管工作状态叫饱和状态。()
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当三极管基极电位升高使发射结和集电结都处于()时,三极管集电极电流IC受集电极回路最大供电能力的限制,不再与基极电流成比例增长,三极管的CE极之间相当于开关的“闭合”状态,这种三极管工作状态叫饱和状态。
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半导体三极管当三极管的发射结和集电结都处于反向偏置时,三极管截止,相当于开关断开()
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7、向PN结中掺金,可以
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10、NPN型三极管的发射区发射电子,集电区收集电子。
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