采用硅和锗材料的雪崩光电二极管的响应波长范围分别为0.5~1.5μm和1~1.5μm

相似题目

• 下列不属于影响雪崩二极管响应速度的因素是（）

  A . 载流子完成倍增过程所需要的时间 B . 载流子在耗尽层的渡越时间 C . 结电容和负载电阻的RC时间常数 D . 结电容和负载电感的LC时间常数

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• 半导体光检测器主要有两类：PIN光电二极管和雪崩光电二极管（APD） APD管由于其灵敏度比较高一般为__dBm左右,适用于长距离传送

  A . -14 B . -20 C . -28 D . -45

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• 常用的光电检测器有光电二极管（PIN）和雪崩光电二极管（APD）两种。

  A . 正确 B . 错误

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• 某光电二极管的的响应速度R=0．65A/w，接收波长为1550nm，则此光电二极管的量子效率为（）。

  A . A．50% B . B．52% C . C．54% D . D．56%

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• 雪崩光电二极管特性中的量子效率只与初级光生载流子数目有关，不涉及倍增问题，故量子效率值总是（）。

  A . 大于1 B . 略大于1 C . 等于1 D . 小于1

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• 为了使雪崩光电二极管正常工作，应在其P-N结上加（）。

  A . A.高反向偏压 B . B.低正向偏压 C . C.高正向偏压 D . D.低反向偏压

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• 雪崩光电二极管（APD）具有（）

  A . 内部放大作用 B . 内部衰减作用 C . 内部平衡作用 D . 内部纠错作用

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• 硅和锗都是Ⅳ族元素，它们具有（）结构。

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• 光纤通信中最常见的光电检测器是（）和雪崩光电二极管。

  A . A.光电二极管 B . B.二极管 C . C.APD D . D.主放大器

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• 采用硅材料的雪崩式光电二极管的响应波长范围（）。

  A . 0.4-0.5μm B . 0.4-1.0μm C . 0.5-1.0μm D . 0.5-1.5μm

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• 硅和锗三极管的门电压不同，分别为（）伏。

  A . 0.2，0.5 B . 0.2，0.3 C . 0.5，0.2 D . 0.3，0.2

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• 绘图题：请划出硅和锗两种二极管的伏安特性曲线。

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• 硅光电池的光谱响应波长范围比锗光的光谱响应波长范围广。

  A . 正确 B . 错误

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• 某光电二极管的的响应速度R=0．8A/w，接收波长为1550nm，则此光电二极管的量子效率为（）。

  A . A．60% B . B．62% C . C．64% D . D．66%

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• 雪崩光电二极管（APD）利用（）使光电流得到倍增。

  A . 灵敏度效应 B . 温度效应 C . 响应度效应 D . 雪崩效应

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• 为了实现均匀倍增，雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求（）。

  A . 浓度均匀 B . 浓度大 C . 浓度小 D . 浓度适中

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• 雪崩光电二极管不但具有（）转换作用，而且还具有内部放大作用。

  A . 电光 B . 光电 C . 数模 D . 模数

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• 光接收器件主要有发光二极管（LED）和雪崩光电二极管（APD）。

  A . 正确 B . 错误

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• 雪崩光电二极管

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• 某PIN光电二极管的量子效率η=70%，接收波长为1550nm，则此光电二极管的响应速度Ｒ为（）。

  A . A．0．85 B . B．0．875 C . C．0．9 D . D．0．925

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• 绘图题：请划出硅和锗两种二极管伏安特性曲线。

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• PIN光电二极管的响应度随入射光波长的增大而()。

  A . 减小 B . 增大 C . 趋于饱和 D . 趋于截止

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• 已知某Si－PIN光电二极管的响应度R0=0.5 A／W，一个光子的能量为2.24×10－19 J，电子电荷量为1.6已知某Si-PIN光电二极管的响应度R0=0.5 A/W，一个光子的能量为2.24×10-19 J，电子电荷量为1.6×10-19 C，则该光电二极管的量子效率为()

  A．40% B．50% C．60% D．70%

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• 画出雪崩光电二极管的各个区的电场分布示意图，并说明各区的作用。

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