影响功率MOSFET开关过程的是（）

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• 功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。

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• 功率MOSFET对驱动电路的要求是（）。

  A . 驱动信号的前后沿陡峭 B . 驱动信号的电压应高于开启电压 C . 信号电压应低于栅源击穿电压 D . 截止时应加小于栅源击穿电压的电压

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• 功率MOSFET的保护技术有哪些？

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• MOSFET功率管的热稳定性好，但是抗干扰能力差。

  A . 正确 B . 错误

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• 功率MOSFET的极限参数指的是（）。

  A . 最大漏极电流 B . 最小漏极电流 C . 最大许用漏-源电压 D . 最小许用漏-源电压

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• 电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

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• MOSFET管用于开关频率在（）kHz以上的开关电源中。

  A . A、50 B . B、80 C . C、100 D . D、150

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• 开关电源中采用的MOSFET功率管，功耗较大。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及两者混合管和（）等等。

  A . A、晶闸管 B . B、可控硅 C . C、功率集成器件 D . D、晶体管

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• 功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，功率增益高，是一种（）控制器件。

  A . A、电压 B . B、电流 C . C、功率

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• 下列器件中，（）集MOSFET和功率晶体管的优点于一身。

  A . 晶闸管 B . GTO C . 1GBT D . IPM

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• 开关电源中MOSFET管稳态工作时，栅板控制电流很小。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 功率MOSFET是一种（）器件，具有驱动功率小，工作速度快，无二次击穿和安全区宽等特点。

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• 一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为（）V。

  A . A、0 B . B、1 C . C、5 D . D、10

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• 功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，功率增益高，是一种（）电压控制器件。

  A . A、电压 B . B、电流 C . C、功率

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• 使用功率MOSFET时要注意（）。

  A . A.防止静电击穿 B . B.防止二次击穿 C . C.MOSFET不能承受反压 D . D.栅源过电压保护

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• MOSFET功率管的三个极分别为漏极、栅极和（）。

  A . A、基极 B . B、源极 C . C、发射极 D . D、阻板

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• 功率MOSFET可多个管子并联工作，具有（）能力。

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• 目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。

  A . 正确 B . 错误

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• 高频功率开关电路影响电路自身功耗的主要因素是

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• 低频功率开关电路影响电路自身功耗的主要因素是

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• 属于功率mosfet静态输出特性的是：

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• 功率MOSFET依据导电沟道可分为PMOS管和NMOS管。（)

  是 否

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• 场效应晶体管是一种重要的开关器件，在数字电路中，常用（_ _ _)MOSFET

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