可控硅导通后，管压降一般约为（）V左右

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• 无触点CDI点火系统在可控硅导通后（）。

  A . 电容被充电，同时在点火线圈次级感应高压电 B . 电容向点火线圈初级回路放电，并使次级回路感应出高压电 C . 高能电容直接向次级回路放电 D . 电容开始储能

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• 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。

  A . 0.2 B . 0.3 C . 0.5 D . 0.7

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• 可控硅导通后，若控制极失去控制作用，则可控硅就关断。

  A . 正确 B . 错误

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• 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为（）。

  A . A、0.5V B . B、0.7V C . C、0.3V D . D、0.1V

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• 可控硅导通后，阳极与阴极之间只要瞬间短路，可控硅就立即关断。

  A . 正确 B . 错误

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• 单向可控硅导通后，要使其可靠关断，可采取（）措施。

  A . A、A～K之间加正向电压 B . B、A～K之间加反向电压 C . C、G～K之间加反向电压 D . D、减小触发极电流

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• 可控硅导通后，触发信号（）。

  A . 维持继续导通； B . 阻止方向导通； C . 阻止截止； D . 不起作用。

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• 如果可控硅导通后，下列说法中正确的有（）。

  A . 电流迅速达到饱和值 B . 去掉控制极电压，可控硅将截止 C . 控制极失去作用 D . 将阳极电流减小到一定值时，可使可控硅截止 E . 当阳极和阴极间加一反向电压，可使可控硅截止

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• 导通后二极管两端电压变小，硅管约为（）。

  A . A、0.5V B . B、0.7V C . C、0.3V D . D、0.1V

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• 二极管真正导通后，锗管的电压约为（）V。

  A . 0.3 B . 0.5 C . 0.7 D . 0.9

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• 二极管的伏安特性可大概理解为（）、（）。导通的硅管的压降约为（）V。

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• 可控硅导通后，通过可控硅电流的大小取决于控制极电流的大小。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 当可控硅导通后，下列（）说法是正确的。

  A . 电流逐步达到饱和值 B . 去掉控制极电压，可控硅将截止 C . 可控硅导通后，控制极将失去作用 D . 将阳极电流减小到一定值时，可使可控硅截止 E . 当阳极和阴极间加一反向电压，可使可控硅截止

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• 可控硅导通后，只要控制极开路，可控硅立即关断。

  A . 正确 B . 错误

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• 可控硅导通后，控制极就失去了控制作用，当阳极电流下降到（）维持电流时，才恢复阻断。

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• 可控硅元件一旦导通后，如欲要使可控硅元件关断，可通过以下哪些方法（）。

  A . 可减小阳极电流到维持电流（维持可控硅导通的最小电流）以下 B . 加大阳极电压 C . 加上反压来实现 D . 关断门极电压

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• 晶闸管导通后，阳极与阴极间的正向电压很小，约为（）V左右。

  A . A.1 B . B.2 C . C.3 D . D.4

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• 可控硅导通后即使触发电压消失，由于（ ）作用仍能保持导通。

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• 二极管导通后，正向电流与正向电压呈( ), 硅管的正向压降为（ ），锗管的正向压降为（ ）

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• 一般情况下，我们知道，导通后二极管两端电压变化很小锗管约为（)。

  A．0.5V B．0.7V C．0.3V D．0.1V

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• >导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为（）

  ＞导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为（） A．0.5V B．0.7V C．0.3V D．0.1V

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• 导通后一极管两端电压变化很小，锗管约为（）

  A．0.5v B．0.7V C．0.3V D．1.1V

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• 可控硅导通后其作用与二极管不同。（)

  是 否

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• 2、在常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约 V；

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