1、在非本征半导体中,漂移电流密度基本取决于()
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霍尔式传感器的基本原理是:当电流流过放在磁场中的半导体基片,且电流方向与磁场方向垂直上,电荷在洛伦兹力作用下向一侧偏移,在()电流与磁场的半导体基片的横向侧面上,将产生一个()。
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导体通过交流电流时,导体截面处的电流密度一样。
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按经济电流密度选择导体截面时,如无合适规格导体时,导体面积可按经济电流密度计算截面的相邻()选取。
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霍尔式传感器的基本原理是:当电流流过放在磁场中的半导体晶片,且电流、磁场、晶片相互垂直时,在洛伦兹力作用下半导体基片上将产生一个()。
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当二极管加反向电压时,二极管将有很小的反向电流流过,这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动产生的。
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发光二极管通常用砷化镓、磷化镓等半导体材料制成,它在通过()电流时会发光,发光的颜色取决于所用的材料,可发出红、黄绿及红外光等。
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下列描述中不属于本征半导体的基本特征是()。
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集肤效应指交流电通过导体时,导体截面上各处电流分布(),导体中心处电流密度最(),越靠近导体表面电流密度越()。
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高频电流流过环状导体时,最大电流密度分布在环状导体内侧。()
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一根导体在如下图中的磁场中匀速向下移动,移动速度V=1米/秒,已知该导体在磁场中的长度L=1米,该磁场的磁通密度B=0.9T,求导体感应电动势的大小?https://assets.asklib.com/psource/2016020215521459254.jpg
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如果导体中的电流为1安培,这表示在1秒钟内通过导体横截面积的()是1库仑。
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已知导体的横截面积是4mm2,1分钟通过它的电量是36库仑,则导体中电流是()安,电流密度是()A/mm2。
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如果用N型半导体代替图A-21中的本征半导体,外电路中的电流将比同样尺寸的本征半导体的()。https://assets.asklib.com/psource/2015031208585164143.jpg
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电流的大小取决于在一定时间内通过导体截面的电荷量的多少。
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电路中的电流强度取决于光子密度吗?
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1、本征半导体中的自由电子和空穴数量是相等的。
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一根导体在如下图中的磁场中匀速向下移动,移动速度v=1米/秒,已知该导体在磁场中的长度l=1米,该磁场的磁通密度b=0.9t,求导体感应电动势的大小?
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按经济电流密度选择硬导体截面(J=1.65A/2)应为()mm2。
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1. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 () A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
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3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质,且杂质浓度基本相等,则该半导体类似于本征半导体,半导体中的载流子基本由本征激发提供
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12、晶体化合物中,非本征缺陷少,因此非本征扩散是次要机制
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导体中的电流取决于()。
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2、输运方程由电子电流密度和空穴电流密度构成,当载流子的迁移率和扩散系数确定以后,漂移电流取决于()。
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如果在1秒内通过导体横截面的电量为1为库仑,则导体中的电流强度是1安培。()
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