避雷器芯片导通的三个阶段是（）。

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• 晶闸管导通的条件是（）。

  A . A、在阳极和阴极之间加上正向电压 B . B、在控制极上加上适当的正向电压 C . C、在阳极和阴极之间加上正向电压，在控制极上加上适当的反向电压 D . D、在阳极和阴极之间加上正向电压，在控制极上加上适当的正向电压

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• PNP三极管导通的条件是（）

  A . 基极和发射极相对集电极为正电势 B . 基极和集电极相对发射极为正电势 C . 基极相对发射极为负电势，集电极相对发射极为正电势 D . 基极相对发射极为正电势，集电极相对发射极为负电势

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• 使晶闸管导通的条件是（）。

  A .

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• 可控硅导通的条件是（）。

  A . A．阳极和阴极间加一定的反向电压，控制极和阴极间加一定的正向电压 B . B．阳极和阴极间加一定的正向电压，控制极和阴极间加一定的正向电压 C . C．阳极和阴极间加一定的正向电压，控制极和阴极间加一定的反向电压 D . D．阳极和阴极间加一定的反向电压，控制极和阴极间加一定的反向电压

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• 导通表是专门用来测量电雷管、爆破母线或电爆网路是否导通的仪表。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 阀导通的条件是什么？

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• 晶体三极管饱和导通的条件是（）

  A . A、Ub＞Ue B . B、Ub＜Ue C . C、Ib≥ICs/β D . D、Ib＜ICs/β

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• 电力系统正常运行时，各相之间是导通的。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 避雷器芯片导通的阶段特性有（）。

  A . 低电场下的绝缘特性 B . 中电场下避雷器的限压特性 C . 高电场强度下的导通特性 D . 超高电场强度下的导通特性

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• 1、晶闸管导通的条件是（）。

  A．正向偏置 B．反向偏压 C．正向偏置且栅极加触发脉冲 D．反向偏置且栅极加触发脉冲

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• 普通二极管导通的条件是（）。

  A.阴极电位高于阳极电位 B.阳极电位等于阴极电位 C.阳极电位高于阴极电位 D.以上皆不是

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• 不影响GTO导通的因素是（）

  A．阳极电流 B．阳极电压 C．温度 D．工作频率

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• 晶闸管导通的条件是（）

  A．在阳极和阴极之间加上正向电压 B．在控制极上加上适当的正向电压 C．在阳极和阴极之间加上正向电压，在控制极上加上适当的反向电压 D．在阳极和阴极之间加上正向电压，在控制极上加上适当的正向电压

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• 三相三线制交流调压电路，电阻负载，开通角α=[BLANK;其中当电路处于三个晶闸管导通和两个晶闸管导通交替状态的时，α1=______,每个晶闸管导通时间θ1=______;当电路处于任一时刻都是两个晶闸管导通时α2=______，晶闸管的导通时间θ2=______;当电路处于两个晶闸管导通的和无晶闸管导通的交替状态时α3=______，晶闸管的导通时间θ3=______

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• 晶闸管导通的条件是：可控硅（)。

  A．主回路加负向电压，同时控制极加适当的正向电压 B．主回路加正向电压，同时控制极加适当的正向电压 C．主回路加负向电压，同时控制极加适当的正向电压 D．不影响

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