沟道电导调制效应
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()是利用外加电场,使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘栅型)沟道或改变原来导电的大小(结型)来控制电导率变化的原理制成的。
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沟道效应
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D沟道型场效应管中的载流子是()
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()电导具有霍尔效应,离子电导具有电解效应,从而可以通过这两种效应检查材料中载流子的()。
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增强型NMOS场效应管必须在()时,才能形成导电沟道,在UGS作用下形成漏极电流ID。
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绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种
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N沟道增强型绝缘栅场效应管,栅源电压VGS是指()
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N沟道结型场效应管正常工作,应在其栅源之间加正向电压
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P 沟道结型场效应管的夹断电压 V P 为 _______ 。
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绝缘栅场效应管工作原理对N沟道增强型场效应管作放大作用时,场效应管应工作在()区
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7、P沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应小于夹断断电压大于零()。
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N沟道结型场效应管在栅极和源极之间的负电压VGS越高,沟道电阻()
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47、增强型绝缘栅场效应管初始时存在导电沟道。
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当工作在恒流区时,N沟道结型场效应管栅极电位()源极电位,PN结()。
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1、工作在饱和状态的场效应管,沟道形状的描述正确的是______。
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开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通最高栅射电压。
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结型场效应管分为N沟道和P沟道两种结构形式()
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3、增强型场效应管当栅源电压为零时,存在导电沟道。
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