对于一个PN结，如果反偏电压降低，耗尽区宽度将减小。
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如果要想PN结得到正向电压，那么电源应（）。
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PN结外加反向电压时，外力日电场的方向与自建电场的方向一致，使空间电荷区（），势垒加高。
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当PN结加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当PN结加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）
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三极管工作在饱和区时，两个PN结的偏量是：发射结加正向电压，集电极加正向电压。
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如果在PN结两端加上不同极性的电压，PN结会呈现出不同的导电性能。
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变容二极管是一种利用pn结电容（或接触势垒电容）与其反向偏置电压vr的依赖关系及原理制成的二极管，其反偏电压愈大，结电容愈大。（）
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PN结探测器中的耗尽层是怎样形成的？耗尽层的存在与实现高能量分辨率有什么关系？
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当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。
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当PN结外加正向电压时，耗尽层（）。
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当未加外部电压时，PN结中电流从N区流向P区。
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当PN结外加正向电压时，（）增加，耗尽层变窄。
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一台三相异步电动机的额定功率PN是指额定运行时的（）功率，如果撤换其定子绕组，将每相匝数减小了，在电源电压不变的条件下，气隙中的每极磁通将（）。
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【判断题】正向偏置电压使PN结空间电荷区窄，反向偏置电压使PN结空间电荷区变宽。
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一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
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半导体的导电特性及PN结PN结加正向电压时，空间电荷区将（）
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半导体的导电特性及PN结PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄（）
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2、反向偏置的PN结，靠近耗尽层边界的中性区内会发生（）过程。
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16、PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。
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9、电力二极管的内部结构是一个PN结，加正向电压导通，加反向电压截止，是不可控的单向导电器件。
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将PN结两端加正向电压时，在PN结内参与导电的载流子是（)。
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9、当PN结外加正向电压时，耗尽层 。
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2、在平衡的PN结两端外加反偏电压，会（）。
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6、当PN结外加反向电压时，耗尽层（）。
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12、要使JFET的输入电阻高，必须通过外加电压保证栅-源之间的PN结反偏。
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