3、（a)p型砷化镓半导体在T = 300 K时的电导率为σ=5/（Ω-cm），求热平衡时的电子和空穴浓度；（b）对电阻率为ρ = 8 Ω-cm的n型硅，重新计算（a)。

某放热反应在T=800K，压力P下进行，达平衡后产物的百分含量为50%，若反应在T=200K，压力P下进行，平衡时的百分含量将（）。

如在夜间地面上空布满云层，设地面为黑体，T0=300K，气压为P=1000hPa0，云底为黑体，温度Tb=280K，气压为Pb=800hpa，中间大气为等温T=285K的灰体，其长波漫射透射率Tf =0.4。试求：（1）地面的有效辐射，（2）中间气层的温度是要增加还是降低，求出变温率 ?https://assets.asklib.com/psource/2016032415213034287.jpg（3）如果云底温度Tb改为260K，则气层温度的变化将如何？

（ cs06 等温吸热） 3mol 的理想气体开始时处在压强 p 1 =600kPa 、温度 T 1 =500 K 的平衡态．经过一个等温过程，压强变为 p 2 =300kPa ．该气体在此等温过程中吸收的热量为 Q （ ） J ． ( 普适气体常量 R = 8.31 J/mol·K ， ln2=0.69)

在 T = 300 K，如果分子A和B要经过每一千万次碰撞才能发生一次反应，这个反应的临界能将是：

下列程序的运行结果是()。 include＜stdio.h＞ void fun(int*s,int*p) { static int t=3； *p=s[t]； t--； } void main() { int a[]={2,3,4,5},k； int x； for(k=0;k＜4;k++) { fun(a,&x)； printf("%d,",x)； } }

求T=300K,在V=10^-6m³中氩分子的平动配分菌数q_t.

3、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。

在本征硅半导体中,掺人浓度为5x10¹⁵cm^-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为10¹⁶cm^-3的施主杂质,则将为何种类型半导体？若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

在一个体积为300L反应器中，86℃等温下将浓度为3.2kmol/m3的反应物A分解， A→P+S 该反应为一级反应，86℃下k=0

离散型随机变量X的分布律为P（X=k)=ak（=1,2,3,4)，则a=（)。

n型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件，目前用的较多的半导体材料有锗、锑化铟、砷化铟。（)

在进行所得税后债务资金成本计算时，债务人实际现金流入＝（)。A．P+Ix（1-T)B．P/（1-F)C．P/（1+K)D．∑P

p型半导体中（)是多数载流子。A、空穴B、电子C、离子

利用水蒸气h-s图求p=2MPa、t=300℃时的焓、比体积和熵.

设反应 a A + b B = g G + h H,在 p  下, 300K时的转化率是600K的2倍,在300K下,总压力为 p  时的转化率是总压力 2 p  的 2倍,可推测该反应:

制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。①设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV,300k时的E_F位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。②设n型外延层杂志均匀分布，杂质浓度为4.6x10¹⁵cm^-3,计算300K时的E_F位置和电子空穴浓度。③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼的浓度为5.2x10¹⁵cm^-3,计算300K时E_F位置和电子空穴浓度。④如温度升高到500，计算③中电子空穴的浓度。

一块本征硅半导体,掺人五价元素砷,依度为10¹⁴cm^-3试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,,并指出相应半导体类型.

设指针p指向单链表中结点A，指针s指向被插入的结点X，则在结点A的前面插入结点X时的操作序列为： 1) s-＞next=___________；2) p-＞next=s；3) t=p-＞data； 4) p-＞data=___________；5) s-＞data=t；

用波长为0.83μm，强度为3mW的光照射在硅光电池，设其反射系数为15%，量子效率为1，并设全部光生载流子能到达电极。 （1）求光生电流； （2）当反向饱和电流为10-8A时，求T=300K时的开路电压。

3、p型半导体中以 杂质为主。

下面的程序的功能是求一维数组中的最小元素。 findmin（int *s,int t,int *k) { int p； for（p=0,*k=p；p＜t；p++) if（s[p]＜s[*k]) （）； } void main（) { int a[10],i,*k=&i； for（i=0；i＜10；i++) scanf（"%d",&a[i])； findmin（a,10,k)； printf（"%d,%dn",*k,a[*k])； }

设A是有n个元素的有限集，P是A上的关系，试证明必存在两个正整数k,t，使得p^K=p^t。

3、p型半导体的主要导带机制是（）

某燃气轮机装置遵循理想布雷顿循环 （工质视为空气，cp=1.005kJ/（kg.K) ,k=1.4。空气进入压气机时的压力为p1=0.1MPa,温度为T1=27℃，循环增压比π=6，循环增温比τ=3.5。（1）在p-v图和T-s图上定性画出该循环曲线；（2）试求该循环的吸热量q1、循环净功wnet和循环热效率。（3)如果给该燃气轮机配置一个极限回热器（100%回热），求其循环热效率。