下列关于漏磁通的叙述,正确的是()

A . 内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大 B . 缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比 C . 表面缺陷的漏磁通密度,随离开表面的距离增大而急剧下降 D . 用有限线圈磁化长的工件,不需要进行分段磁化

时间:2022-10-02 14:13:26 所属题库:磁粉检测(高级)题库

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