关于半导体的说法中错误的是：（）。

相似题目

• 半导体是导电性能介于金属和绝缘体之间的物质。按这个定义，下面说法错误的是（）。

  A . 某种溶液的导电性能不如金属，又不是绝缘体，所以，这种溶液是半导体 B . 汞的导电性能大大小于铝、铜、铁等金属材料，所以汞是半导体物质 C . 干燥的木块不导电，将木块弄潮湿后开始导电，但导电性能远不如铝、铜、等金属材料。有人说，“潮湿将木块由绝缘体变为半导体”的说法是错误的 D . 在纯结晶状态的硅中掺人某些元素原子后，会由不导电变为导电。但它在某一个方向导电比另一个方向容易些，而且导电能力受电压等外界因素影响大。这些导电性能不如金属，所以，硅是半导体物质

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• 对于半导体激光器的结构，下列说法错误的是（）

  A . F-P激光器是多模，DFB和DBR激光器是单模激光器 B . 光学谐振腔可以是平面腔也可是球面腔 C . 要求全反射镜的反射系数r<1，部分镜的反射系数r=1 D . 只有当外加正向电流达到某一值时，才会产生激光

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• 下列关于半导体存储器说法中正确的是（）。

  A . 半导体存储器可分为静态存储器和动态存储器两种类型 B . 半导体存储器都是挥发性的，即只要关机（切断电源），所存储的信息就会全部丢失 C . 静态存储器，即使不断电，存储单元所存储的信息也会慢慢丢失 D . 动态存储器需要不断刷新

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• 对于半导体热敏电阻的特点，说法错误的是（）。

  A . 非线性大 B . 对环境温度敏感性大 C . 测量时不易受到干扰 D . 灵敏度较高

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• 半导体有三个主要特性，下面说法错误的是（）。

  A . A、光敏特性 B . B、热敏特性 C . C、掺杂特性 D . D、压敏特性

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• 关于导体及其导电原理，下列说法错误的是（ ）

  A . 金属导电，是因为金属中有可以自由移动的电子 B . 人体导电，是因为人体内含有大量水分和矿物质 C . 石墨导电，是因为石墨中含有碳元素 D . 酸碱溶液导电，是因为溶液内含有自由离子

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• 导体的电阻是导体本身的一种性质，下列说法错误的是（）。

  A . 和导体面积有关 B . 和导体长度有关 C . 和环境温度无关 D . 和材料的性质有关

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• 以下关于直导体感应电动势方向判定的说法中错误的是（）。

  A . A．用右手定则确定，其中让磁力线从掌心穿入 B . B．用左手定则确定 C . C．用右手定则确定，其中让磁力线从手背穿入 D . D．用右手螺旋定则确定

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• 关于N型半导体的下列说法，正确的是（）。

  A . A．只存在一种载流子：自由电子 B . B．在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极 C . C．在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体 D . D．在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成

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• 安德烈·海姆和康斯坦了·诺沃肖洛夫，因“研究二维材料石墨烯的开创性实验”而获得2010年诺贝尔物理学奖。石墨烯不仅是已知材料中最薄的一种，还非常牢固坚硬；作为单质，它在室温下传递电子的速度比已知导体都快。关于石墨烯的说法中，错误的是（）

  A . 石墨烯是一种单质 B . 石墨烯和金刚石一样硬度很大 C . 它与C 是同一种物质 D . 它完全燃烧后的产物是CO

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• 关于N型半导体的下列说法，错误的是：（）

  A . 自由电了是多数载流子 B . 在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极 C . 在纯净的硅晶体中三价元素硼，可形成N型半导体 D . 在PNP型晶体管中，基区是N型半导体

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• 关于导体电阻大小的下列说法中，正确的是（）

  A . 细铜线比粗铜线的电阻大 B . 粗细相同的导线，长的比短的电阻大 C . 铁导线比铜导线的电阻大 D . 长短相同的两根铝导线，粗的比细的电阻小

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• 关于P型半导体的下列说法，错误的是（）。

  A . A．空穴是多数载流子 B . B．在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极 C . C．在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体 D . D．在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成

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• 关于两种半导体带电的说法，正确的是（）。

  A . A、P型半导体主要靠空穴导电，所以定是带正电 B . B、N型半导体主要靠电子导电，所以定是带负电 C . C、P型半导体和N型半导体对外都不导电

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• 关于半导体二极管说法正确的是：（）。

  A . A、加正向电压时外电场与势垒电场方向一致 B . B、加正向电压时外电场与势垒电场方向一致 C . C、加反向电压时耗尽层变薄 D . D、加反向电压时耗尽层变厚

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• 以下关于直导体感应电动势的说法中，正确的是（）。

  A . A．相对运动导体单位时间内切割的磁力线数 B . B．式中的v可以向任何方向切割 C . C．B不一定是均匀磁场 D . D．伸出磁场之外的导体也计入l

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• 关于导体下面说法错误的是（）。

  A . A、容易让电流通过的物体 B . B、比如钢、铁都是导体 C . C、电阻率小于十的负八次方欧姆平方毫米每米 D . D、电阻为零

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• 关于半导体测温元件说法正确的是（）。

  A . 半导体热敏电阻随温度的升高电阻值上升 B . P型和N型半导体材料不能集成在一个热电偶中 C . 不能制作成接触型 D . 半导体热敏电阻比金属热敏电阻灵敏度高

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• ⑥ 关于半导体说法错误的是（D）

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• 下列关于直接带隙半导体和间接半导体说法错误的是（）。

  A.直接带隙半导体的导带最低点与价带最高点具有相同的晶体动量 B.间接带隙半导体的电子跃迁不仅需能量的转换，也需要动量的交换。 C.间接带隙半导体电子在跃迁过程中将能量转移给晶格，释放声子 D.单晶硅是一种直接带隙半导体

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• 导体的电阻是导体本身的一种性质，以下说法错误的是（）

  A．和导体截面积有关 B．和导体长度有关 C．和环境温度无关 D．和材料性质有关

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• 4、以下关于导体内阻抗，说法错误的是

  A．相同横截面条件下，多股线的交流电阻比直流电阻小 B．同一根导体的交流电阻比直流电阻大 C．增加导体的表面积可以减少导体的交流电阻 D．同一根导体的内阻抗是导线的固有参数，在流过直流或交流电时无区别

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• 导体的电阻是导体本身的一种性质，以下说法错误的是（)。

  A．导体的电阻和导体的截面积有关 B．导体的电阻和导体的长度有关 C．导体的电阻和环境温度无关 D．导体的电阻和材料性质有关

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