【简答题】P型杂质半导体、N型杂质半导体多子、少子分别是什么？

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• N型杂质半导体中，多数载流子是（）

  A . 正离子 B . 负离子 C . 空穴 D . 自由电子

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• 杂质半导体多子的浓度受温度的影响很小。

  A . 正确 B . 错误

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• 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

  A.错 B.对

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  A . 1/n0 B . 1/△n C . 1/p0 D . 1/△

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• 当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。

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  A . 正确 B . 错误

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• 在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。

  A、锗 B、磷 C、硼 D、锡

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• 举例说明什么是受主杂质，什么是p型半导体？

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  A . 正确 B . 错误

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  A . 正确 B . 错误

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• 纯净半导体又称为 半导体，在纯净半导体中掺入 价杂质元素可形成P型半导体，在纯净半导体中掺入 价杂质元素可形成N型半导体.

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• 空穴为（ ）载流子。自由电子为（ ）载流子的杂质半导体称为P型半导体。

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• 20、当半导体硅中掺有受主杂质时，主要靠______导电，这种半导体称为P型半导体。

  A．空穴 B．电子 C．离子 D．量子

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• 一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N

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• 15、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

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