焦炉用硅砖晶型转化点主要有()。
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砌筑焦炉用硅砖主要砌筑在焦炉的燃烧室、炭化室、斜道等部位。
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硅砖焦炉立火道温度不得超过()。
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焦炉用硅砖的SiO2含量应>85﹪。
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焦炉用硅砖主要砌成在炉顶区、蓄热室内格子砖和烟道部分。
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焦炉砌体主要是用硅砖和粘土砖砌成。
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砌焦炉用硅砖在烘炉过程中,硅砖中的SiO2发生四个晶形转化点,其中()的温度范围内体积变化最大。
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大容积焦炉以下部位由硅砖砌筑()。
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投产六个月以上的硅砖焦炉,在有计划加快炼焦速度时,允许昼夜提高火道温度不得超过(),但不能超过极限温度。
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焦炉主要筑炉材料包括:硅砖和()。
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硅砖的主要成分是二氧化硅,二氧化硅有多种晶型存在,其中膨胀率最小晶型是()。
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石英有三种存在状态;()中变体;石英的晶型转化分为两种情况:()。
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磷石英有两个晶型转化点,即()℃。
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硅砖焦炉立火道测温点的温度最高不得超过()。
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硅砖只能砌筑在焦炉斜道部位。
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下述()是硅砖烘炉过程中的晶形转化点。
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在硅砖烧制过程中,应尽可能的使SiO2向()晶型转化。
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由于高铝砖的热稳定性与耐磨性均优于硅砖,在焦炉上防止用高铝砖代替硅砖砌筑燃烧室炉头。
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焦炉在烘炉升温过程中,180~270℃为膨胀控制点,是由于()晶型在发生转化,造成硅砖膨胀率增大。
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固体碘化银(AgI)有α 和β 两种晶型,这两种晶型的平衡转化温度为419.7K,由α 型转化为β 型时,转化热等于6462J·mol-1,由α 型转化为β 型时的熵变ΔS 应为()
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投产六个月以上的硅砖焦炉当接近极限操作温度时,在有计划加快炼焦速度后,允许昼夜提高火道不得超过℃()
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投产六个月以上的硅砖焦炉在有计划加快炼焦速度时,允许昼夜提高火道不得超过℃()
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硅砖焦炉蓄热室顶部温度,最高不得超过()
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砌焦炉用硅砖在烘炉过程中,硅砖中的SiO<sub>2</sub>发生四个晶形转化点,其中()的温度范围内体积变化最大
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2、论述石英晶型转化在陶瓷生产中有什么指导意义
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