直流高电压试验，高压硅堆上的反峰电压使用值（）硅堆的额定反峰电压，其额定整流电流应大于工作电流，并有一定的裕度。
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降压硅堆开路时，发“直流电压过低”信号，控制母线电压消失，在确认硅堆开路后，可立即通过调节硅堆把手短接硅堆，恢复控制母线电压，然后调整充电装置（），降低（）。
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有下列设备： TT—试验变压器；VC—整流用高压硅堆；C—稳压电容；PV2—静电电压表；PA1、PA2—测量用微安表；MOA—被试氧化锌避雷器；R0—保护电阻；PV1—电磁式电压表；TR—调压器。画出测量阀式避雷器泄漏电流原理接线图。
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型号为2DL-150／0.2的高压硅堆，容许使用电流为200mA，额定反峰电压为150kV，其使用最高电压不应超过（）kV。
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标示为2DL150/0.2的硅堆最大反峰电压为多少？最大整流电流为多少？
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直流高电压试验，为了限制试品放电时的放电电流，保护（）等，高压侧接取了保护电阻器。
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直流高电压试验，对试品施加电压时，应从足够低的数值开始，缓慢地升高电压。从试验电压值的（）开始，以每秒2%的速度上升，通常能满足要求。
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有下列设备：TT-试验变压器；VC-整流用高压硅堆；C-稳压电容；PV2-静电电压表；PA1、PA2-测量用微安表；F-被试阀式避雷器；R0-保护电阻；PV1-电磁式电压表；TR-调压器。画出测量阀式避雷器泄漏电流原理接线图。
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产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定整流电流和（）。
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直流高电压试验，对试品施加电压时，应从足够低的数值开始，缓慢地升高电压。从试验电压值的75%开始，以每秒（）的速度上升，通常能满足要求。
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直流高电压试验，在利用硅堆整流时当单个的电压不够，需要采取多只串联的办法时，采用并联均压电阻，其数值一般为硅堆反向电阻的（）。如按此值所选的电阻值过高而不易达到时，可适当减小为1000MΩ。
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高压试验室中通常采用将工频高电压经（）而变换成直流高压，利用（）制成的（）来产生更高的直流试验电压。
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使用高压直流成套装置进行测量直流参考电压（UnmA）及在0.75UnmA泄漏电流时，试验仪器要求：输出工作电流下直流电压的纹波系数（）。
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高压硅整流变压器内高压硅堆击穿的故障现象有（）。
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进行直流耐压试验时，一般是将硅堆的负极接试品。
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直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时，高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压，其额定整流电流应大于工作电流，并有一定的裕度。
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探测电缆故障点，对电缆采用“烧穿”时，加在故障点芯线上的高电压，一般（）直流耐压试验电压。
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产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和（）。
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采用半波整流方式进行直流耐压试验时，通常应将整流硅堆的负极接至试品高压端。
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直流高压试验完毕后，需待试品上的电压降至（）试验电压以下，将被试品先经电阻放电，最后直接接地放电。
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在直流耐压试验的半波整流电路中，高压硅堆的最大反向工作电压，不得低于试验电压幅值的（）。
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高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的（）。
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某避雷器铭牌上的直流参考电压值为73kV，直流1mA参考电压及0.75倍参考电压下漏电流试验时，在调压器上进行过电压保护值为（）
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作直流电机耐压试验时，加在被试部件上的电压由零2上升至额定试验电压值后，应维持（）
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直流高压实验采用高压硅堆作整流元件时，高压硅堆上反峰电压使用值不能超过硅堆额定反峰电压，其额定整流电流应不不大于工作电流，并有一定裕度。（)
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