抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了下列哪种离子的通透性？
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兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性（）
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兴奋性突触后电位是由于突触后膜提高了对下列哪些离子的通透性而引起的（）
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兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了——的通透性（）。
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IPSP的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加（）
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兴奋性突触后电位是由于突触后膜出现了超级化。
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突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。
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EPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性（）
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产生兴奋性突触后电位与后膜对哪种离子通透性增加有关（）
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抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。
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突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）
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抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高？
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抑制性突触后电位是指突触后膜发生局部去极化。
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突触后抑制的产生是由于突触后膜
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兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性
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产生兴奋性突触后电位时突触后膜对哪种离子的通透性增加( )
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突触后膜产生兴奋性突触后电位时，膜电位的特征是（）
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发生抑制性突触后电位时突触后膜对哪种离子的通透性升高( )
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兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了（)的通透性。A.Ca2+B.Cl-C.K+D.Na+和K+，尤其是Na+E.
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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性增加所致()
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抑制性突触后电位的形成其突触后膜出现（）
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2、2. 兴奋性突触后电位的产生，主要是增大了突触后膜上哪些离子的通透性（)
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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种的离子通透性增加所致（）
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