在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）
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晶体三极管的输出特性曲线图有哪些区域？
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在变压器耦合单管功率放大器中，当电源电压Ec=20V时，晶体三极管可以承受的最高电压为（）
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晶体三极管在放大区域工作时，发射结两端所加的电压是（）电压，其输入电阻一般约为（），所以三极管的输入端要从外加信号电源中吸取电流。
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晶体三极管的输出特性曲线可分为截止区、放大区和（）三个区域。
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晶体三极管的基区一般做得很薄，且掺杂很轻，多数载流子的浓度很高。
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在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端应该是（）。
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晶体三极管有（）个工作区域。
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绘图题：请画出一般晶体三极管输出特性曲线，并注明三个工作区域。
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由晶体三极管的输出特性曲线可知，晶体三极管有（）个工作区域。
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标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
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晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
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晶体三极管的工作状态分为三个区域，当Ib≤0的区域称为（）。
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晶体三极管的工作状态分为三个区域，当电源EC一定，IC很大，VCE很小Ib再增大，IC缓慢增大或不增大，三极管失去放大作用，此时三极管工作在（）。
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三极管的基区掺杂浓度最高，集电区的面积最大。（）
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◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
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晶体三极管的输出特性曲线可分为()、()、()三个区域。
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（1）若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示，请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE＝5×10（^18)/CM（^3)，基区掺杂浓度NB＝1×10（^16)/CM（^3) 发射区宽度XE＝0.20μm， 基区宽度XB＝0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM（^2)/S，基区少子扩散系数DB=25CM（^2)/S 发射区少子寿命τE0＝1×10（^-7)/S， 基区少子寿命τB0＝5×10（^-7)/S （2）实际生产中，工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管，如果不考虑其他参数的分散性，只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间，请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
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为了使三极管能有效地起放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度______；基区宽度______；集电结结面积比发射结结面积______；其理由是什么？如果将三极管的集电极和发射极对调使用，能否起放大作用？
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1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
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15、制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
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一般情况下，晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。（）
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与普通二极管相比，发光二极管的掺杂浓度比普通二极管很多（）
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在电路中经常出现的，主要用于放大的晶体三极管组态是（）。
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