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本征半导体
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考虑固体问题时,例如热胀冷缩,一般而言其本征能量的值是()
A . A、10eV
B . B、100eV
C . C、5eV
D . D、2eV
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本征函数
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本征激发
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光纤的本征损耗是否可以避免?它是什么原因造成的?
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闪烁探测器的突出优点在于其本征探测效率高,在同样的形状下,为什么BGO探测器比NaI探测器的本征探测效率高?
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半导体本征吸收与本征光电导
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一维无限深方势阱的能量本征值为多少?()
A、<img src="http://p.ananas.chaoxing.com/star3/origin/0fb713f8336d2b8d7d9a63bac10d61ff.png"> n=1,2,3,…,
B、<img src="http://p.ananas.chaoxing.com/star3/origin/62f579ad9aeda8437835d0936f56bfb0.png"> n=0,1,2,3,…,
C、<img src="http://p.ananas.chaoxing.com/star3/origin/62f579ad9aeda8437835d0936f56bfb0.png"> n=1,2,3,…,
D、<img src="http://p.ananas.chaoxing.com/star3/origin/4363704dad62a0ac703e43e00f16493e.png"> n=1,2,3,…,
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一维谐振子的能量本征值为多少?()
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考虑固体问题时,例如热胀冷缩,一般而言其本征能量的值是
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已知质量为m的一维粒子的能量本征值为 n=1,2,3…,则粒子第2激发态的能量是多少?()0fb713f8336d2b8d7d9a63bac10d61ff.png
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在本征半导体中掺入微量五价元素可得到 型杂质半导体,在本征半导体中掺入微量三价元素可得到 型杂质半导体。
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粒子处于一个一维盒子中,盒子长度为L,若粒子处于能量本征值为 的本征态中,求粒子对盒子的壁的
粒子处于一个一维盒子中,盒子长度为L,若粒子处于能量本征值为<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-05-14/958318217859229.png' />的本征态中,求粒子对盒子的壁的作用力有多大.
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限于求的共同本征函数,表示成球谐函数的线性叠加。
限于<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-12-31/978286399175628.png' />求<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-12-31/978286408047136.png' />的共同本征函数,表示成球谐函数<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-12-31/978286421718918.png' />的线性叠加。
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中心力场中,算符的共同征函数为则关于这两个算符的本征值方程正确的式子是()
中心力场中,算符<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-12-30/978209149199373.png' />的共同征函数为<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-12-30/978209138548764.png' />则关于这两个算符的本征值方程正确的式子是()
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-12-30/978209122834865.png' />
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构造一个表示自旋角动量沿一个任意方向的矩阵S<sub>r</sub>.使用下面的球坐标,有求出S<sub>r</sub>的本征值
构造一个表示自旋角动量沿一个任意方向<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-09-14/968934798147329.png' />的矩阵S<sub>r</sub>.使用下面的球坐标,有
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-09-14/96893482300475.png' />
求出S<sub>r</sub>的本征值和(归一化的)本征旋量.
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-09-14/968934838500637.png' />
注意:你总是可以自由地去乘上一个任意相因子<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-09-14/968934853708507.png' />比如说,<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-09-14/968934868785369.png' />所以你的答案可能与我所给的答案看起来好像不完全一样.
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一块本征硅半导体,掺人五价元素砷,依度为10<sup>14</sup>cm<sup>-3</sup>试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,,并指出相应半导体类型.
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试以基态氢原子为例证明:ψ不是的本征函数,而是的本征函数。
试以基态氢原子为例证明:ψ不是<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2021-03-17/984828116153074.png' />的本征函数,而是<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2021-03-17/984828125835624.png' />的本征函数。
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自旋态为,S<sub>x</sub>,S<sub>y</sub>,S<sub>z</sub>本征值为的本征态分别为。求:(a)如果在t时刻,测量自旋角动量沿x
自旋态为<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-09-16/969122432863344.png' />,S<sub>x</sub>,S<sub>y</sub>,S<sub>z</sub>本征值为<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-09-16/969122451801427.png' />的本征态分别为<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-09-16/969122464339144.png' />。求:
(a)如果在t时刻,测量自旋角动量沿x方向的分量,求得到的概率是多少?
(b)问题同上,但为自旋角动量沿y方向的分量。
(c)问题同上,但为自旋角动量沿z方向的分量。
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证明是线性谐振子的本征波函数,并求此本征态对应的本征能量,式中A为归一化常数,
证明<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-12-30/978204552292445.png' />是线性谐振子的本征波函数,并求此本征态对应的本征能量,式中A为归一化常数,<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-12-30/978204564985171.png' />
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下列函数哪些是算符的本征函数,其本征值是什么?
下列函数哪些是算符<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2021-03-17/984828718116624.png' />的本征函数,其本征值是什么?
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2021-03-17/984828735067581.png' />
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表示沿z方向平移距离口的算符,证明下列形式波函数(Bloch波函数):是Dx (a)的本征念,相应本征值
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-12-30/978207392623903.png' />表示沿z方向平移距离口的算符,证明下列形式波函数(Bloch波函数):
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-12-30/978207402291456.png' />
是Dx (a)的本征念,相应本征值为<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-12-30/978207411124961.png' />
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13、本征激发的结果是?
A.产生一组电子——空穴对。
B.仅产生一个导带的电子。
C.仅产生一个价带的空穴。
D.不产生电子和空穴。