共射极电流放大系数β与共基极电流放大系数α之间满足关系式（）
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晶体管放大电路，已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib，发射极电流Ie是（）。
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在共发射极晶体管的放大电路中，当无输入信号（静态）时，集电极电流Ic与基极电流Ib的比值称为共发射极（）放大系数。
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三极管共射极交流电流放大系数的定义是（）。
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共射极电路不但能得到电压放大，而且还可以得到电流放大。
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共射极放大电路的输出电阻比共基极放大电路的输出电阻是（）。
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电流放大系数β
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三极管反向饱和电流Icbo与发射极穿透电流Iceo之间的关系为（），β为电流放大倍数。
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半导体三极管的电流放大系数β为该管的集电极电流与基极电流的比值。（）
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在共发射极晶体管的放大电路中，当加有输入信号（动态）时，集电极电流的变化量ΔIc与基极电流变化量ΔIb的比值称为共发射极（）放大系数。
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晶体管放大电路，已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib，发射极电流Ie等于（）。
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共射极、（）放大电路有电流放大作用.
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三极管交流电流放大系数β一般选用（）之间，过大性能不稳定，过小电流放大能力低。
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处于放大状态下三极管的发射极电流是基极电流的（1+β）倍。（）
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共射极基本放大电路中，如果有输入信号且处于放大状态，基极电流是（ ）信号。
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晶体三极管在放大状态时，当管子的基极电流为10微安时，集电极电流为1毫安，则三极管的静态电流放大系数是（ ）。
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晶体管放大电路直流工作点指的是：基极电流IB、集电极电流 IC和电流放大系数β。
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（1）若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示，请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE＝5×10（^18)/CM（^3)，基区掺杂浓度NB＝1×10（^16)/CM（^3) 发射区宽度XE＝0.20μm， 基区宽度XB＝0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM（^2)/S，基区少子扩散系数DB=25CM（^2)/S 发射区少子寿命τE0＝1×10（^-7)/S， 基区少子寿命τB0＝5×10（^-7)/S （2）实际生产中，工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管，如果不考虑其他参数的分散性，只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间，请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
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共射截频fβ为共射电流放大系数对应的截止频率，共基截频fα为共基电流放大系数对应的截止频率，两者的关系为（）。
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（）我们将晶体管的集电极电流ΔIC与基极电流ΔIB的比值称为晶体管的交流电流放大系数β
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共射极放大电路的输出电阻比共基极放大电路的输出电阻（）
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固定偏置共射极放大电路，如果电源电压为10V，基极偏置电阻为200kΩ，集电极电阻为1kΩ，三极管的β=100，则三极管的静态电压UCE为（)。
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三极管的共基极电流放大系数为（)。
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集电极电流Ic与基极电流Ib之比β是电流放大系数,反映了基极电流对 电流的控制能力
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NPN型BJT共射放大电路的交流输出电压波形上半周失真时为（），此时应该（）基极电流。
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