有关半导体下列说法正确的是（）。

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• 以下有关同种材料导体电阻说法正确的有（）

  A . 当导体截面一定时，如果导体长度越短，导体的电阻值则越小 B . 当导体长度一定时，如果导体截面越小，导体的电阻值则越大 C . 当导体长度一定时，如果导体截面越小，导体的电阻值则越小 D . 当导体截面一定时，如果导体长度越短，导体的电阻值则越大

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• 下列关于半导体存储器说法中正确的是（）。

  A . 半导体存储器可分为静态存储器和动态存储器两种类型 B . 半导体存储器都是挥发性的，即只要关机（切断电源），所存储的信息就会全部丢失 C . 静态存储器，即使不断电，存储单元所存储的信息也会慢慢丢失 D . 动态存储器需要不断刷新

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• 以下有关同种材料导体电导说法正确的有（）。

  A . 当导体截面一定时，如果导体长度越短，导体的电导值则越小 B . 当导体长度一定时，如果导体截面越小，导体的电导值则越大 C . 当导体截面一定时，如果导体长度越长，导体的电导值则越小 D . 当导体长度一定时，如果导体截面越大，导体的电导值则越大

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• 对于P型半导体来说，下列说法正确的是：（）。

  A . A、在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的； B . B、它的载流子是空穴； C . C、它对外呈现正电； D . D、它的多数载流子是空穴。

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• 以下有关磁场对通电直导体的作用，说法正确的有（）。

  A . 磁场越强，直导体所受的力就越小 B . 磁场越弱，直导体所受的力就越小 C . 直导体通过的电流越大，其所受的力就越大 D . 直导体通过的电流越小，其所受的力就越大

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• 对于一段导体，R=U/I的物理意义，下列说法正确的是（）。

  A . A、导体中的电流越小，则电阻越小 B . B、加在导体两端的电压越大，则电阻越小 C . C、导体两端的电压跟通过导体的电流强度的比值等于这段导体的电阻 D . D、导体的电阻跟导体两端的电压成正比，跟通过导体的电流强度成反比

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• 关于N型半导体的下列说法，正确的是（）。

  A . A．只存在一种载流子：自由电子 B . B．在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极 C . C．在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体 D . D．在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成

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• 下面有关导体发热说法正确的是（）

  A . 导体的长期发热是导体长期通过工作电流时的发热过程 B . 导体的短时发热是指短路开始至短路切除为止，很短一段时间内导体发热的过程 C . 导体的短时发热是导体短期通过工作电流时的发热过程 D . 导体的长期发热是指短路开始至短路切除为止，很长一段时间内导体发热的过程

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• 关于导体电阻大小的下列说法中，正确的是（）

  A . 细铜线比粗铜线的电阻大 B . 粗细相同的导线，长的比短的电阻大 C . 铁导线比铜导线的电阻大 D . 长短相同的两根铝导线，粗的比细的电阻小

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• 关于P型．N型半导体内参与电的粒子，下列说法正确的是（）

  A . 无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴 B . P型半导体中只有空穴导电 C . N型半导体中只有自由电子参与导电 D . 在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电

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• 以下有关导体电阻与温度关系说法正确的有（）。

  A . A.当温度升高时，电解液和碳素物质的电阻增大 B . B.当温度升高时，金属导体的电阻减小 C . C.当温度升高时，电解液和碳素物质的电阻减小 D . D.当温度变化时，如康铜等某些合金的电阻几乎不变化

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• 关于半导体二极管说法正确的是：（）。

  A . A、加正向电压时外电场与势垒电场方向一致 B . B、加正向电压时外电场与势垒电场方向一致 C . C、加反向电压时耗尽层变薄 D . D、加反向电压时耗尽层变厚

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• 有关半导体剂量计的优缺点，正确的是（）

  A . 优点：有良好的精确性和准确性；缺点：需要提供高电压 B . 优点：非常薄，不扰动射束；缺点：需要用电离室剂量计作适当校准 C . 优点：能做成不同形状；缺点：容易丢失读数 D . 优点：高灵敏度，不需要外置偏压；缺点：累积剂量会改变灵敏度 E . 优点：能够作为点剂量测量；缺点：需要暗室和处理设备

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• 以下有关导体上感应电动势方向的判定，说法正确的有（）

  A . A、可用左手定则来判定材 B . B、手背迎着磁力线 C . C、大姆指指向导线运动速度v的方向 D . D、四指的方向即是感应电动势e的方向

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• 关于半导体测温元件说法正确的是（）。

  A . 半导体热敏电阻随温度的升高电阻值上升 B . P型和N型半导体材料不能集成在一个热电偶中 C . 不能制作成接触型 D . 半导体热敏电阻比金属热敏电阻灵敏度高

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• 有关硅半导体二极管，下述哪条说法是不正确的？（）

  A . A、其正向开启电压为0.6～0.7伏 B . B、其反向饱和电流较小，但随温升高而加大 C . C、其正向导通电阻陡，工作点电流加大而减小 D . D、其正向导通的交流电阻与直流电阻相等

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• 以下有关通电直导体在磁场中的两种特殊方法，说法正确的有（）

  A . 当导体与磁力线平行时，导体受到的磁力为零 B . 当导体与磁力线平行时，导体受到的磁力最大 C . 当导体与磁力线垂直时，导体受到的磁力为零 D . 当导体与磁力线垂直时，导体受到的磁力最大

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• 10、有关半导体对光的吸收,下列说法正确的是（）

  A．半导体对光的吸收主要是本征吸收 B．半导体对光的吸收主要是非本征吸收 C．产生本征吸收的条件是入射光子的波长要大于波长阈值 D．产生本征吸收的条件是入射光子的频率要小于频率阈值

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• 下列选项有关功率半导体器件的工作特点,不正确的描述是()。

  A．功率半导体器件处于开关状态 B．导通管压降低 C．漏电流很大 D．管子导通时，相当于短路

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• 关于主设备选择的一般原则，下列各项说法正确的是《导体和电器选择设计技术规定》DL/T5222-2005第3条（）

  A．应力求技术先进、安全适用、经济合理，满足正常运行、检修、短路和过电压情况下的要求，并考虑远景发展 ； B．应按当地环境条件校核，与整个工程的建设标准协调一致； C．应根据品种实际需要选用导体及其他设备，以免造成浪费； D．使用新技术、新产品

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• 甲公司于2009年5月8日获得一项半导体发明专利，此后一直为了控制市场而拒绝实施。乙公司需要在国内实施该专利，但是甲公司一直拒绝许可乙公司实施。对于该专利的强制许可授予，下列说法正确的是（）

  A．甲公司自专利权被授予之日起满3年，且自提出专利申请之日起满4年，无正当理由未实施其专利的 B．甲公司行使专利权的行为被依法认定为垄断行为，为消除或减少该行为对竞争产生的不利影响而强制许可 C．甲公司自专利权被授予之日起满3年，且自提出专利申请之日起满4年，无正当理由未充分实施其专利的 D．乙公司取得一项专利权的发明比甲公司的半导体发明专利具有显著经济意义的重大技术进步，其实施又有赖于甲公司专利的实施

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• 14、如下所述，有关新型半导体器件，表述正确的是：

  A．集成门极换流晶闸管简称IGCT。 B．金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。 C．绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。 D．半导体的禁带宽度比金属的禁带宽度窄。

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• 1、对于超导体，下列说法正确的是（）

  A．超导体与理想导体电阻都为零，所以两者具有相同的性质。 B．超导体的电阻为零，导体内的电场强度也为零。 C．温度低于其临界温度，导体一定变为超导态。 D．超导体的完全抗磁性来源于其零电阻性。

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• 用同种材料制成的粗细均匀的某段金属导体，对于其电阻大小下列说法正确的是（）

  A．当导体两端电压和通过导体的电流为零时，导体的电阻为零 B．当导体被均匀拉长至原来的二倍时，它的电阻减小为原来的一半 C．电阻是导体本身的一种性质，所以温度不论如何变化，它的电阻也不可能为零 D．电阻是导体本身的一种性质，与电压和电流无关

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