突变结近似
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区别突变与突变型、突变与饰变。
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什么叫诱发突变？发生诱发突变的机制是什么？
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突变量包含工频突变量和暂态突变量,为使突变量保护快速动作,常用其中的暂态突变分量,使其动作速度可以达到特高速（小于10ms）。
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晶体三极管的工作状态分为三个区域，当发射结正向偏置，集电结反向偏置时，曲线近似水平的部分称为（）。
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超突变结
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社会制度的突变可以引起语言的突变。
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生物体突然发生遗传物质的变化，称为突变。突变的分子基础是碱基的点突变和缺失，有关点突变正确的叙述是（）
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何谓直接致突变物和间接致突变物？
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下列哪种突变可以引起框移突变（）。
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指出突变频率和突变率的区别。
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用人工方法来诱发突变是加速基因突变的重要手段，突变部位一般发生在（），因此突变后性状能稳定的遗传。
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突变的分子基础是碱基的点突变和缺失，有关点突变不正确的叙述是（）。
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突变的分子基础是碱基的点突变和缺失，有关点突变不正确的叙述是（）
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反突变（回复突变）
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基因突变按其发生部位可分为体细胞突变a和生殖细胞突变b两种，则（）
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____ ___和____ ___突变能引起框移突变（移码突变）。
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体细胞显性突变比隐性突变表现得晚，但分离出纯合突变体的时间早。
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由显性基因A突变为隐性基因a称为______突变；也叫______突变；而由隐性基因a突变为显性基因A称为______突变，也叫______突变。通常______突变的发生总是高于______突变。
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6、基因发生突变时，正突变率与回复突变率之间
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一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
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复发或转移性结直肠癌病人推荐进行哪种基因突变检测，以指导肿瘤靶向治疗？（)
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2. 在基因突变中，由显性基因突变为隐性基因称为显性突变，由隐性基因突变为显性基因称为隐性突变。
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按突变涉及的范围，可以把突变分为基因突变和______。
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基因突变后,其编码的多肽链肯定会变短,这种突变方式是错义突变。（)